三极管中,从三个区引出相应的电极,分别为基极b,发射极e和集电极c。发射区和基区之间的PN结叫发射结,集电区和基区之间的PN结叫集电结。这是因为电阻挡对基——射极作正测时,加在基射间的电压是Ube=(1-n/N)E,E=1.5v是电池电压,N是有线性刻度的某一直流电压的总分格数,n是表针在该刻度线上偏转的分格数。以500型万用表测硅管来说明,该表内阻在Rx10挡是100欧,对硅管b.e极作正测是,电流达Ibe=(1.5v-0.7v)/100欧=8mA,测锗管时电流还要大,用Rx1挡电流更大,有可能损坏晶体管。
三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部
分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种。三极管的结构示意图如图1所示,电路符号如图2所示。
共集电极电路
输入信号电压Vi加在基极,信号电压Vo由发射极输 出的电路称为共集电极电路,又称为射极输出器,如图2.5.1(a)所示。由于采用的是分压式偏置,静态工作点的计算与 图2.1.2完全相同,这里不再
重复。
共集电极放大电路
在共集电极放大电路中,输入信号是由三极管的基极与发射极两端输入的,再由三极管的基极与发射极两端获得输出信号。因为集电极是共同接地端,所以称为共集电极放大电路。共集电极放大电路具有以下特性:
1、输入信号与输出信号同相;
2、电压增益低(≤1);
3、电流增益高(1+β);
4、功率增益低;
5、适用于电流放大和阻抗匹配电路。
联系客服