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这是集成电路物理设计的第二个系列【standard cell】的第八篇文章,本篇文章主要讲解Retention Cell相关知识:
1,什么是Retention Cell?
Retention Cell是一种特殊的sequential cell,这种cell在primary power断开后,还可以保持cell内部存储的信号状态,当再次上电后可以恢复之前存储的状态。
在power gated电路中,有些寄存器信号非常重要,即使在掉电后仍需要保存,以保证再次上电后逻辑电路可以不用通过reset就可以快速正确运行。
Retention Cell有多种实现方式,最常见的一种Retention Cell是Master/Slave-alive Retentiion Cell,这种cell包含一个正常的flip-flop,slave latch在retention阶段存储数据,slave latch的power rail通过alway on rail连接。一般slave latch通过高阈值电压器件实现,以减少leakage power。
相比于普通的寄存器,retention寄存器内部多一个独立电源的latch,这个独立电源结构连接到alway on domain电源上,当master latch掉电后,slave latch会存储掉电前状态,当master latch再次上电后,将slave latch的状态重新读取到master latch。
2,为什么需要使用Retention Cell?
在多种情况下,在power-gated mode下有一些flip-flop的状态需要在断电时维持其状态,等再次上电时恢复到原来的状态,否则,其状态可能会出现“X state”,为避免出现“X state”,需要使用Retentiion Cell在断电时维持其原来状态。
考虑一种Power-Gated domain的FSM,其input信号来自于alway on domain。 其状态状态转换如下图所示,有四种状态和一个输入信号。假设在S2 state时,电路进入power gated mode,当电路再次上电时,其input信号是确定的(来自always on domain),但FSM state是不确定的,所以该电路需要重新reset进入到S0状态。当每次进入power gated mode,电路都需要进行一次reset,这会影响电路的性能,retention cell可以在power gated mode下存储state信号,不再需要reset。
3,常见的几种Retention Cell:
4,Retention Cell vs DFF
如下图所示,Retention Cell和DFF的区别在于,Retention Cell的slave latch的power rail连接alway on supply,同时还多一个SLEEP信号。为保证slave latch所存储的信号,需要使用SELLP信号将slave latch在SLEEP信号为low时有效。当处于retentiion mode时,SLEEP信号为high。
5,Retention Issues
为减少master/slave alive retention cell的leakage power,使用high Vth晶体管实现slave latch,这会导致从CLK->Q的delay增加,影响其性能。
master/slave alive retention cell在CLK 为low时取回slave latch中存储的状态。当再次上电时,CLK为high时,master latch的输出为'x state',这会导致slave latch的输出为'x state'。
master/slave alive retention cell的缺点可以使用其他种类的retention cell替换,但这可能会增加cel的面积。
6,可以使用普通的register替换retention cell吗?
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