本公众号【读芯树:duxinshu_PD】主要介绍数字集成电路物理设计(PD)相关知识,才疏学浅,如有错误,欢迎指正交流学习。
这是集成电路物理设计的第一个系列【physical cell】的第四篇文章,本篇文章主要讲解Filler Cell相关知识:
1,什么是Filler Cell?
Filler Cell内部没有任何逻辑连接关系,只包含:nWell, pWelll, n-implant, p-implant, poly和metal层,没有input pin和output pin。
Filler Cell 用于连接ROW上的VDD和VSS,同时将衬底连接起来。
2,为什么需要insert Filler Cell?
在放置完所有的standand cell和macro之后,standand cell (macro)之间会存在很多gap,这些gap 会将ROW上的VDD和VSS切断,同时nWell和pWell也会断开,这会产生大量的DRC Violations。
为保证电源网络的完整连接,well layer和implant layer的连续性,需要加入Filler Cell将其连接起来。
3,如何Insert Filler Cell?
在完成P&R之后,加入DCAP Cell和Filler。
在加入Filler过程中从面积最大的cell开始加入 (e.g. 16W > 8W > 4W> 2W > 1W)。(reduce runtime)
FC/ICC2 cmd:
Innovus cmd:
4,为什么需要连续的nWell和implant区域?
如果是连续的nWell和implant layer,这有利于foundary生产mask,减少工艺的复杂度。
如果nWell和implant layer不连续,这会有DRC问题,影响芯片良率(well proximity effect)。
如果nWell和implant layer不连续,这会产生很多独立的nWell isoland,这需要额外的well tap cell的使用,会增加额外的面积。
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