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这是集成电路物理设计的第一个系列【physical cell】的第三篇文章,本篇文章主要讲解DCAP Cell相关知识:
1,什么是DCAP Cell?
DCAP Cell最简单的结构是将MOS管的source, drain和body端连接起来作为CAP的一端,将MOS管的gate端作为CAP的另一端。
对于nMOS,source, drain和body端连接GND,poly gate端连接VDD。
对于pMOS,source, drain和body端连接VDD,poly gate端连接GND。
在先进工艺中,提供更加复杂的DCAP cell
2,为什么需要insert DCAP Cell?
在芯片中,如果在某一个区域,在时钟有效沿到来时,有大量的standard cell发生翻转时,这需要从电源上获取大量的电流,这可能会造成电源上的IR Drop问题,影响芯片的性能或功能。
为缓解IR Drop问题,提升电源网络的鲁棒性,可以在电路中加入大量的DCAP Cell,电容有去耦合的特性,这可以缓解电源网络的跳变,保持电源和地之间的稳定。
DCAP Cell会增加leakage power。
3,DCAP Cell Schematic and Layout?
4,如何insert DCAP Cell?
在完成P&R之后,加Filler阶段加入DCAP Cell。
不同于Filler,DCAP Cell中包含晶体管,因此需要进行LVS check。
在加入DCAP过程中从面积最大的cell开始加入。
FC/ICC2 cmd:
Innovus cmd:
5,DCAP Cell和GDCAP Cell有何区别?
DCAP Cell 内部所有的晶体管连接成CAP的形式,没有其他逻辑结构。
GDCAP Cell中除了连接成CAP形式的晶体管还包含其他的晶体管,这些结构可以用于后期的ECO逻辑单元。
相同面积的DCAP和GDCAP,DCAP的电容值远大于GDCAP电容值。
6,参考文献
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