本发明涉及芯片加工技术领域，具体地，涉及一种tvs芯片贴蓝膜后加工方法。
背景技术：
目前蓝膜芯片普遍的加工工艺是将gpp(gpp中文名称:玻璃钝化)芯片贴蓝膜后使用刀片全切穿成散粒状态，因为刀片的机械应力损伤较大，且gpp芯片使用玻璃做钝化层，其脆性较差，晶粒易受应力作用产生内部损伤，同时晶粒与蓝膜间的致密性导致这种损伤未能及时发现，最终造成终端的晶粒损破，导致产品品质下降。
现有公开号为cn111092045a的中国专利，其公开了一种新型的gpp芯片蓝膜加工方法，包括以下步骤：1.1)激光半切穿；将晶圆沿蚀刻道半切穿，切割速度为100-300mm/s，切割频率为30-90khz，切割功率为75％±15％，切割深度1/4-2/3,切割痕宽度为20um-60um；1.2)压片，将已经半切穿的晶圆沿着切割痕裂成一颗颗散粒；在晶片p/n两面涂抹ipa保护溶液，在p/n两面盖上裂片保护膜，使用尼龙滚棒沿着半切穿痕将晶圆裂成一颗颗散粒；1.3)n面揭裂片保护膜；将菲林版的n面揭开，使晶粒p面整齐排布在菲林版的p面上，并晾干；1.4)贴蓝膜；将晶粒n面贴在蓝膜上，揭开p面菲林版，得到成品激光切割蓝膜出货产品。
发明人认为现有技术中的芯片蓝膜加工方法贴蓝膜前芯粒易散落、贴膜后排列不规则及芯粒之间无间隙搬运及取拿过程中易损坏芯粒边角，存在待改进之处。
技术实现要素：
针对现有技术中的缺陷，本发明的目的是提供一种tvs芯片贴蓝膜后加工方法。
根据本发明提供的一种tvs芯片贴蓝膜后加工方法,包括如下步骤：s1、准备晶圆：取研磨后的晶圆，备用；s2、激光半切穿：利用激光切割机将晶圆沿划片道半切穿；s3、贴蓝膜：将晶圆的未切割面贴蓝膜；s4、初步烘烤：将贴好蓝膜的晶圆放入恒温烤箱内进行烘烤，且晶圆贴有蓝膜的一面朝上设置；s5、裂片：使用滚棒碾压晶圆并将晶圆裂成一颗颗芯粒；s6、扩晶：将带蓝膜的芯粒放置在扩晶机上扩晶；s7、拉伸蓝膜；把带蓝膜的芯粒放在扩晶机的发热平台上，芯粒带有蓝膜面朝下，边拉边烘烤芯粒的四周；s8、结束操作。
优选地，针对步骤s2激光半切穿，激光切割机的切割速度为125-150mm/s,切割频率为35-45khz,切割功率为45％-66％，切割深度是1/2-2/3，切割痕宽度38-53um。
优选地，针对步骤s2激光半切穿，激光切割机的切割速度为150mm/s,切割频率为45khz,切割功率为58％，切割深度是90um，切割痕宽度43±5um。
优选地，针对步骤s2激光半切穿，包括两次切割步骤；第一次切割：激光切割机的切割速度为125mm/s,切割频率为35khz,切割功率为66％；第二次切割：激光切割机的切割速度为150mm/s,切割频率为45khz,切割功率为45％；切割深度是110um，切割痕宽度43±5um。
优选地，针对步骤s4初步烘烤，烘烤温度为80摄氏度，烘烤时间5分钟。
优选地，步骤s5和步骤s6之间依次设置有步骤s5.1清洗和步骤s5.2再次烘烤。
优选地，步骤s5.1、清洗：将带蓝膜的芯粒放置在清洗机上清洗。
优选地，步骤s5.2、再次烘烤：将清洗完成的带蓝膜的芯粒放入恒温烤箱内烘烤，芯粒带有蓝膜的一面朝下设置，烘烤时间30分钟，烘烤温度为80摄氏度。
优选地，针对步骤s6扩晶，扩晶温度为60度，扩晶时长为2.5分钟。
优选地，针对步骤s7拉伸蓝膜：将钢环居中贴在芯粒带蓝膜的贴面上，拉膜温度为60摄氏度，拉膜时间在3-5分钟。
与现有技术相比，本发明具有如下的有益效果：
1、本发明通过依次设置的准备晶圆步骤、激光半切穿步骤、贴蓝膜步骤、初步烘烤步骤、裂片步骤、扩晶步骤、拉伸蓝膜步骤，有助于提高芯粒排列的均匀性和规则性，且有助于减少芯粒散落的情况发生，进而有助于提高后加工封装效率和品质；
2、本发明通过清洗步骤和再次烘烤步骤，将裂片后的芯粒上附着的硅杂粉尘清理干净，有助于提高加工完成后的芯片的品质；
3、本发明通过激光切割，解决了刀片切割速度慢，受应力损伤等品质问题，有助于提高芯片的加工效率和品质，且有助于降低应力损伤。
附图说明
通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
图1为本发明主要体现芯片贴蓝膜后加工方法整体步骤的流程示意图；
图2为本发明主要体现激光半切穿后的晶圆状态示意图。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本发明进行详细说明。以下实施例将有助于本领域的技术人员进一步理解本发明，但不以任何形式限制本发明。应当指出的是，对本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变化和改进。这些都属于本发明的保护范围。
如图1和图2所示，根据本发明提供的一种tvs芯片贴蓝膜后加工方法，包括如下步骤：
s1、准备晶圆：取研磨后的晶圆，备用。
s2、激光半切穿：利用激光切割机将晶圆沿划片道半切穿，激光切割机的切割速度为125-150mm/s,切割频率为35-45khz,切割功率为45％-66％，切割深度是1/2-2/3，切割痕宽度38-53um。
s3、贴蓝膜：将激光半切穿后的晶圆放置到贴膜机上，并将晶圆的未切割面贴蓝膜。
s4、初步烘烤：将贴好蓝膜的晶圆放入恒温烤箱内进行烘烤，且晶圆贴有蓝膜的一面朝上设置，烘烤温度为80摄氏度，烘烤时间为5分钟。
s5、裂片：将带蓝膜的晶圆放置在裂片保护膜上，晶圆带有蓝膜的一面朝上，使用尼龙滚棒与划片道平行碾压晶圆，并将晶圆裂成一颗颗芯粒。
s5.1、清洗：将带蓝膜的芯粒放置在清洗机上清洗，从而将芯粒上附着的硅杂粉尘清洗干净。
s5.2、再次烘烤：将清洗完成的带蓝膜的芯粒放入恒温烤箱内烘烤，芯粒带有蓝膜的一面朝下设置，烘烤时间30分钟，烘烤温度为80摄氏度。
s6、扩晶：将带蓝膜的芯粒放置在扩晶机上扩晶，扩晶温度为60摄氏度，扩晶时长为2.5分钟，且扩晶机为晶片扩张机。
s7、拉伸蓝膜；将钢环居中贴在芯粒带蓝膜的贴面上，之后把带蓝膜的芯粒放在扩晶机的发热平台上，芯粒带有蓝膜面朝下，拉膜温度为60摄氏度，且边拉边烘烤芯粒的四周，拉力均匀，防止蓝膜回缩，且钢环内将膜整平整无折纹，拉膜时间控制在3-5分钟内完成。
s8、结束操作。
本申请通过激光半切穿后贴膜的一系列加工，解决了芯粒排列不规则、散落等问题，达到了提高后加工封装效率和品质的效果。
变化例1
针对步骤s2激光半切穿：利用激光切割机将晶圆沿划片道半切穿，激光切割机的切割速度为150mm/s,切割频率为45khz,切割功率为58％，切割深度是90um，切割痕宽度43±5um。
变化例2
针对步骤s2激光半切穿，包括两次切割步骤：第一次切割：激光切割机的切割速度为125mm/s,切割频率为35khz,切割功率为66％。第二次切割：激光切割机的切割速度为150mm/s,切割频率为45khz,切割功率为45％；切割深度是110um，切割痕宽度43±5um。
工作原理
工作中，依次进行准备晶圆步骤、激光半切穿步骤、贴蓝膜步骤、初步烘烤步骤、裂片步骤、清洗步骤、再次烘烤步骤、扩晶步骤、拉伸蓝膜步骤；先取研磨后的晶圆，备用，再利用激光切割机将晶圆沿划片道半切穿，然后将晶圆的未切割面贴蓝膜，然后将贴好蓝膜的晶圆放入恒温烤箱内进行烘烤，之后再使用滚棒碾压晶圆并将晶圆裂成一颗颗芯粒，之后将带蓝膜的芯粒放置在清洗机上清洗，之后再将清洗完成的带蓝膜的芯粒放入恒温烤箱内烘烤，然后再将带蓝膜的芯粒放置在扩晶机上扩晶，之后再把带蓝膜的芯粒放在扩晶机的发热平台上拉伸蓝膜，最好结束操作；通过激光半切穿后贴膜的一系列加工，解决了芯粒排列不规则、散落等问题，达到了提高后加工封装效率和品质的效果。
以上对本发明的具体实施例进行了描述。需要理解的是，本发明并不局限于上述特定实施方式，本领域技术人员可以在权利要求的范围内做出各种变化或修改，这并不影响本发明的实质内容。在不冲突的情况下，本申请的实施例和实施例中的特征可以任意相互组合。
