相机的宽容度是指相机对明亮的场景，和灰暗的场景适应能力。一个场景含有很明亮的部分，又含有灰暗的部分，相机对这两部分都能做到有良好的层次细节的记录，那么这部相机就具有良好的宽容度。摄友们对宽容度概念的理解是一致的，但是对影响宽容度的因素认识存在不同的差异。下面说的都是科普常识，有的人对此不感兴趣，有人太忙无暇浏览，可以离开，不必往下看了。
有人说，大画幅宽容度好，有人说记录位深，比如12位比10位宽容度好等等，这些说法不是十分准确。到底什么因素影响了宽容度呢？
数码相机，CMOS是由非常多的光电二极管构成的，它的特性曲线如下图。
水平表示它得到镜头的光多少，右边多，左边少。垂直表示在光能作用下输出的电信号，上边信号大表示亮，下边信号小表示暗，那条线就是光电二极管在不同光量条件下输出电信号多少。
图中曲线左侧一段低沉平缓，表示图像黑暗缺少层次，右边一段高台平直，表示图像死白没有细节。中间这段表示光电二极管随着光量改变，电信号也成比例改变，图像优秀，这段越宽，宽容度越好。
下面说说左侧曲线低沉平缓如何形成的。物体由分子构成，分子由带正电的原子核，和它外围围绕它运转带负电的电子构成的，正负电吸引达到平衡，电子受到其他能量激励，比如光能，当电子得到光能量达到一定水平，打破了这种平衡，在电场作用下电子离开原子核，出现了电流，(这就是水平轴，光能离开原点一段距离电信号才直线上升的原因)。光照不强时，只有离原子核最远的外层电子，原子核束缚能力最弱，电子受到一点点激励，就能离开了原子核形成电流，但是电流很小，造成曲线低沉微微上升。
曲线右边如何出现高平台呢？产生的原因可能有以下几点: a，输出电信号饱和了。b，输出的电信号即将超过安全允许量值，(热伤害，电击穿)。c，模拟信号转换成数字信号，就是A/D变换(ADC)，信号值超过基准参考值以后测不出来了，恒定不变。这三个因素，任何一个都会影响高端产生平台。从曲线可见，低端虽然低平，但还有点斜度，还能保存一小部分图像细节，可是高端就是水平直线了，图像细节损失殆尽，后期也很难恢复，这就是说，宁肯欠曝，也不要过曝。有经验的摄影师，对此都深有体会。
如何改善包容度，有人说增大光电二极管面积(增大每个像素面积，也就是大画幅，低像素)，会提高低端曲线斜率，压缩了暗区范围，对宽容度改善有益，但是高端饱和也会提前到来，整体宽容度改善不显著。
有人说，位深(A/D变换级数多)宽容度好，这种说法不准确，A/D变换是在光电二极管得到电信号之后变换的，在这之前宽容度已经受到了制约，比如二极管输出最大4伏电信号，模数变换是对这4伏进行变换，8位就是2的8次方，256个等级，每个等级大约15豪伏，10位就是2的10次方，1024个等级，每级大约1豪伏，12位有4096个等级，每级0.24豪伏。位多，信息量剧增，图像层次也越丰富，但对宽容度影响甚微，可是对相机，计算机处理用时间可就多了，就需要耐着性子了，储存卡也得大容量的。有人以为A/D变换每个台阶宽度相同，台阶多了，整体宽度就大了，这种理解是不对的，实际上，是整体宽度不变，只是台阶小了，A/D变换的级数决定了数字仪表的精度，决定数码相机图像细节层次。
可变增益放大器(变跨导放大器)，低端小信号放大量大，提高了暗区图像层次，高端大信号放大量小，延缓大信号饱和，这是人们希望的增加宽容度的方法，但是放大器设计复杂一些。
图中细线表示原来光电二极管的光电特性，粗线表示可变跨导放大器补偿后理想的特性，补偿后宽容度2明显好于没有补偿宽容度1，当然这只是理想希望。
CMOS由像素构成，每个像素由红绿蓝3个光电二极管，2400万像素，就有7200万个二极管，还有至少7200万条引线，这些都挤在一个层面上，密度高光电二极管做不大，热容量小，不仅影响暗光层次，还影响高亮信号散热，宽容度受影响。背照堆栈结构CMOS，光电二极管设计在一层，面积可以做的最大，信号好了，横向引线在下一层，竖向引线在另一层，还有其他的层，不拥挤了，热容量大增，宽容度得到明显改善。
还有那些A/D变换器，基准参考源数值高，供电电压高，CMOS散热好的相机，宽容度不会太糟糕。
你买了相机，宽容度对于你来说就是固定了的，好也不必自喜，坏也不必伤心，因为有补救办法，就是当你遇到宽照度场景时，你过曝一张，正常曝光一张，再欠曝一张，取过曝光暗部图像细节，取正常曝光，大部分图像细节，取欠曝光亮部分的细节，三者合成一幅明暗都理想的图片，这就是HDR模式，现在绝大多数相机都有这种模式，你大胆应用就行了。
我不是相机的设计者制造者，只是说点科普常识，不一定准确，不要喷，欢迎讨论。
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