什么是TLC颗粒？与MLC、SLC区别

    首先就要说说TLC是什么。简单来说TLC就是一种成本上相对比较偏向性价比的闪存颗粒

SLC MLC TLC规格对比

    TLC其实只是一个形容词，我们所说的TLC指的是TLC闪存，而其中的TLC指的是Triple Level Cell，直接翻译过来叫做3阶单元，比较通俗的意思就是“一个单元可以存储3个信息”，相对应的MLC芯片为“一个单元可以存储2个信息”，SLC芯片则为“一个单元可以存储1个信息”。

    可能有人会说这不就是个集成度多少的问题吗？事实不是这样，无论是SLC、MLC、SLC其一个单元本身的晶体管数量是相似的，也就是说我们用物理上差不多的东西储存了更多的信息。但是存储更多的信息就等于带来了更多不稳定。

MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)基本结构

    那么闪存的结构是什么样子的呢？请大家看上图，在对一个闪存单元编程的时候，电压加到控制栅极(control gate)上，形成一个电场，让电子穿过硅氧化物栅栏，达到浮动栅极(floating gate)。穿越过程完成后，控制栅极上的电压会立刻降回零，硅氧化物就扮演了一个绝缘层的角色。单元的擦除过程类似，只不过电压加在硅基底(P-well)上。    

SLC只需要两种电压状态就可以保存所有数据 但是TLC则需要8种

    SLC、MLC、TLC三种闪存的MOSFET是完全一样的，区别在于如何对单元进行编程。SLC要么编程，要么不编程，状态只能是0、1。MLC每个单元存储俩比特，状态就有四种00、01、10、11，电压状态对应也有四种。TLC每个单元三个比特，状态就有八种了(000、001、010、100、011、101、110、111)。

SLC、MLC和TLC三者的区别 
SLC=Single-LevelCell，即1bit/cell，速度快寿命长，价格超贵（约MLC3倍以上的价格），约10万次擦写寿命 
MLC=Multi-LevelCell，即2bit/cell，速度一般寿命一般，价格一般，约3000---10000次擦写寿命 
TLC=Trinary-LevelCell，即3bit/cell，也有Flash厂家叫8LC，速度相对慢寿命相对短，价格便宜，约500次擦写寿命

    简单地说SLC的性能最优，价格超高。一般用作企业级或高端发烧友。MLC性能够用，价格适中为消费级SSD应用主流，TLC综合性能最低，价格最便宜。但可以通过高性能主控、主控算法来弥补、提高TLC闪存的性能。