IGBT开关特性：栅极电阻的影响

在具有现代功率器件的自换相变流器中，变流器中使用的IGBT的典型开关频率为1~20KHz。在这种情况下，可能会产生对应于不同开关频率的谐波。更高开关频率的功率器件可以使用MOSFET。目前，开关电源频率可高达1MHz以上。另一方面，功率器件的感应振荡来源于开关动作。由于功率器件的开关时间远短于开关频率的周期，因此，电磁干扰在显著高于开关频率范围内发生。

当频率低于30KHz时，电磁干扰主要通过电线和电缆传播，它们通过电网反馈的形式干扰电网。当频率高于100KHz时，电磁干扰是以电磁波的形式大范围传播，这会导致与其它电子和电力电子设备不兼容。梯形波相比于矩形波，虽然波形不对称会产生一些附加项，但梯形波谐波幅值衰减较快。如果使用IGBT或MOSFET，则可以通过栅极电阻调整dI/dt斜率。为了减少谐波，可以通过增加栅极电阻来缩短开关时间。但是这将增加开关损耗。

1、器件电学性能

2、栅极电阻对开关特性的影响

（1）RG=5Ω

（2）RG=10Ω

（3）RG=15Ω

（4）RG=20Ω

（5）RG=25Ω

（6）RG=30Ω

（7）RG=40Ω

（8）RG=50Ω

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