[器件仿真课程]半导体器件建模仿真与分析教程

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半导体器件建模仿真与分析课程

课程简介

半导体器件的建模和分析是器件设计的核心环节，熟练掌握器件的建模与分析方法，能够帮助我们更好地开展器件设计和分析工作，提高设计效率，缩短研发周期。

本课程将围绕半导体器件的建模与分析中的核心问题，借助 TCAD 仿真软件，从物理基础、器件模型、工艺过程、仿真建模与数据呈现等方面，进行 系统性和原理性的讲解，使得学习者能够快速搭建起系统的知识框架，快速掌握其中的核心原理与方法；辅助以有限元建模仿真、版图设计、数据处理等实操技能，以实例进行循序渐进的讲解，使学习者能够快速上手开展工作。 

作者尝试用最短的时间帮助听课者建立系统的知识框架与技术能力，不仅追求“会用”软件，还要“懂得”其中蕴含的原理。

课程展示

 从2021年8月26日开课至今，课程进行了128个学时，后续课程进入工艺仿真的仿真模型阶段。一节课约2到3小时，深入剖析原理+详细的保姆式实操教学，让你快速懂得原理，快速上手。

目前课程还在更新中，后续敬请期待

内容展示

本课程将围绕半导体器件的建模和分析方法，以TCAD软件为例，从物理基础、数值方法到器件设计实现与验证的几个角度，对建模方法以及其中的原理进行讲解，使大家更清晰的理解我们所学、所用的半导体器件。

部分内容展示如下：

Linux基础与软件安装

半导体物理基础简述

半导体器件物理基础简述

一个PN结的数值求解过程-使用python编程

半导体器件物理基础简述

Trench IGBT的建模与SWB的基本原理

TDR文件的后处理与SJ-LDMOS结构建模

FinFETNanosheet器件建模与随机涨落方法

网格划分基本概念与网格质量评价

MOSFET器件静态和瞬态特性求解

TCL编程与SVISUAL自动化数据处理

仿真中的物理模型概述

温度特性与温度模型

碰撞电离与击穿特性仿真

SPICE模型与混合模式

混合模式（二）修改SPICE模型参数丨SVISUAL动画自动生成

缺陷与辐照特性仿真

交流小信号分析

模型参数修改与新建材料

(Ga2O3 MOSFET与SiGe Diode)

隧穿模型与隧穿器件

非完全电离/各向异性与SiC MOSFEET仿真

极化效应与GaN HEMT

sdevice求解流程、Math设置与收敛性调整思路

半导体工艺简述

版图绘制

工艺仿真基础

基于ICWBEV的工艺仿真，实现纵向和横向设计的完美分离，提高仿真效率

sprocrss结构生成（刻蚀、淀积）与MGOALS

离子注入仿真

蒙特卡洛离子注入

扩散模型与AdvancedCalibration

学员评价

看到小伙伴们学习课程后收获满满，我们也十分的欣慰和开心，那些顶着夜灯备课的日子也变得有意义。感谢大家对课程的肯定。

我们的优势

1、国内Top2院校半导体器件方向博士，从事器件工艺开发和建模工作十余年

2、课程无限回放，电脑手机端均可观看，提供课件下载

3、专设VIP答疑群，老师学员共同交流

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