成果展示：SiC基IGBT模型（ver.1.0）

作为十四五规划和2035年远景目标中科技前沿领域重点攻关方向，碳化硅（SiC）基绝缘栅双极型晶体管（IGBT）肩负众望。尽管目前碳化硅功率MOSFET的阻断电压已经可以做到10 kV，但作为一种缺乏电导调制的单极性器件，进一步提高阻断电压将会面临通态电阻升高的问题。理论计算表明，20 kV的碳化硅功率MOSFET需要制备厚度超过172 μm的漂移区，则其通态特征电阻将会显著增大，可超过245 mΩ·cm²。因此实现高压大电流功率器件（>7kV，>100A）的希望寄托于既能利用电导调制效应降低通态压降又能利用MOS栅降低开关功耗、提高工作频率的SiC基IGBT上。

我司技术团队利用APSYS半导体器件设计平台开发出了SiC基IGBT计算模型(ver.1.0)，可以得到输入输出特性曲线及正反向击穿电压等各种电学特性。此模型可直观展示SiC基IGBT器件内部工作原理，为分析器件内部机理提供了重要的参考价值，对于研发高性能的SiC基IGBT有着重要的指导意义。

图 SiC基IGBT输入输出特性曲线（左）正反向击穿特性（右）