观850电路疑惑

今天在坛子里看到有人问850电路问题，之前一直没怎么认真看过这个电路，根据他们的回帖才注意到850负反馈R9,R10比例这么变态的，100多倍

为什么会设置这么大的？看大部分电路都是20-30左右！另外Q1-IC好像通过Q4 Vbe/R3可以求得，可是R5阻值是怎么确定的？电压级又没有恒流源，通过仿真这个电阻值改一下电流变，中点电压又变，为了让Q4输出振幅最大，(Q4)Vc相对负电位基本都是设置在12V范围，那这样可以计算出电压级电流值设定多少，可是通过仿真依然不对，弄来弄去发现R3,R5相互关联的样子，可是计算与仿真不对，还是我算法有问题，这个电阻值的确定依据是什么，有点困惑，知道的朋友说一下，谢谢！

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发表于 2022-1-15 23:32 来自手机端 | 只看该作者

仿真看一下，R5和Q4的集电极电流是不是有关系，感觉他的作用和R8差不多

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Bigbigbaby

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发表于 2022-1-16 01:54 | 只看该作者

这个电路应该这么考虑：

1、首先，Q4的集电极电流Ic4是由R3来设置的，但Ic4到底设置为多大，却是要根据经验来确定。

一般原则是，先计算在最大设计输出功率条件下Q3所需的基极驱动电流Ib3max，然后，Ic4选择为1.2~3倍的Ib3max，一般建议尽可能选偏大一点。但Ic4越大Q4的发热会越严重，所以说需要根据实际调试经验来最终确定。

调整R3就可以改变Ic4的电流。一般为方便测量，往往需要在Q4发射机串入一个10欧左右的小电阻，用万用表的毫伏档测量电阻两端的电压，就可以推算出Q4的射极电流Ie4，如果Ic4不是太小(至少几mA)的话，可以近似认为Ic4与Ie4相等。

在调R3之前，R5应按照公式 R5 = 11.3 / Ic4 来选定合适的电阻值。比如，如果期望Ic4为3mA，那么R5 = 11.3 / 3 = 3.76K，可以选择3.9K的标准电阻，在调R3时尽量使Ic4略微偏小一点点；R5也可以选择3.6K的标准电阻，而实际的Ic4则需要调得略偏高一点点。

这里纠正你一个认识上的误区，那就是Q1的集电极电流Ic1并非预先确定的，而是根据上述原则确定Ic4后，通过选择Q4的HFE来进行抉择的。比如，按图中参数，R4用33K电阻，那么Q1的集电极电流应该大约为：Ic1 = 6 / 33 = 0.18mA，此时如果确定Ic4为3mA的话，Q4的HFE值选择在80~120之间的最为合适，此时R3的阻值应该在3.9K左右。如果你选的Q4的HFE在60~100之间，那么Q1的集电极电流会略低于0.18mA，此时R3的阻值大约是4.9K左右。

2、这个电路是双电压供电的，所以，确定R5的原则其实就是按照所谓的中点电压法则，即让Q4集电极电压等于0.7V，也就是要让R5两端电压等于11.3V。

3、先确定R5，再根据要求来调整Ic4，这个先后顺序必须搞清楚。在调Ic4时，先不要接入Q3和Q5(一般是先不焊这两个管子，并且R12这个模拟喇叭负载的电阻必须接上)。当Ic4调整合适以后，D1、D2之间连线处的电压应该就非常接近0V，如若不然，则说明R5的阻值没算对。

你说一改R5中点电压就变，这就是这个电路的特点，所以我强调了，R5必须先确定下来。如果你想尝试让Q4换不同的静态工作点(也就是试试不同的Ic4的效果)，那么每次也得先根据你想要修改的Ic4计算出R5的阻值，然后再来调R3使Ic4达到预期的值。这样的话，你把Ic4调到差不多接近期望值时，D1、D2之间处的电位应该就比较接近0V了，最后需要做的就是细调R3使该点电位尽量调为0V即可。

最后，根据这个电路的特点给一点调试建议：R3和R5都用10K精密多圈电位器，按照图中采用双12V供电的话，我认为Q4的集电极电流Ic4设置为2~5mA比较合适，Ic4越大整个电路你调起来越轻松，但Q4的发热会是最关键的制约因素，因为一旦Q4发热严重的话，温漂问题就会比较突出，整个电路的稳定性就不好了。

如果对我的讲解有疑问，你可以仿真试一下，我可以肯定，你按我说的步骤调整，应该很轻松成功。记住，仿真时你是体会不到Q4的发热问题的。

最后对这个电路提两点改进措施：

1、根据R3的调试结果，在Q2集电极串一个同样阻值的电阻，会提高输入级Q1和Q2的匹配度，对于提高电路抗共模噪声、减小温度漂移是非常有益的。

2、在Q4的发射极串入一个10~47欧的电阻，不仅有利于调试时监测Q4的集电极电流，还可以改善调整R3时的灵敏度，调Q4集电极电流更为轻松容易。

3、如果你想尝试改善交越失真问题，可以尝试在D1、D2之间多串一个相同的二极管。不串二极管串一个电阻也可以，阻值略大于R7就可以了，阻值越大对交越失真的改善越有利，但注意不要超过220欧。串电阻的不利方面是，输出特性会变得偏软。

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