场效应管的识别分类及测量
一、 符号： “Q、VT” ，场效应管简称ＦＥＴ，是另一种半导体器件，是通过电压来控制输出电流
的，是电压控制器件 1 g1 k% O# k9 |- _
0 k2 Y. p/ u0 }& U( T
场效应管分三个极：
Ｄ极为漏极（供电极） , {6 i; Y. x- g6 v
Ｓ极为源极（输出极）
Ｇ极为栅极（控制极）
Ｄ极和Ｓ极可互换使用 & T F% N4 L! |2 X2 n! K A
7 \3 X) `0 o8 s& q
场效应管图例：9 @9 m$ J) M+ Q2 s
. ?3 E6 ]# } ]
' p4 h( ?: ^3 w$ {* m- m3 G" P m' T
二、 场效应管的分类：
场效应管按沟道分可分为Ｎ沟道和Ｐ沟道管（在符号图中可看到中间的箭头方向不一样）。/ w/ V6 ?/ ]9 p* c5 A5 B- m" f
按材料分可分为结型管和绝缘栅型管，绝缘栅型又分为耗尽型和增强型，一般主板上大多是绝缘栅
型管简称ＭＯＳ管，并且大多采用增强型的Ｎ沟道，其次是增强型的Ｐ沟道，结型管和耗尽型管几乎不用
。2 R$ p+ _! [- U
三、 场效应管的特性：
1、工作条件：Ｄ极要有供电，Ｇ极要有控制电压
2、主板上的场管Ｎ沟道多，Ｇ极电压越高，Ｓ极输出电压越高
3、主板上的场管Ｇ极电压达到12Ｖ时，ＤＳ完全导通，个别主板上5Ｖ导通% `$ |9 |7 U' z* c( Q
4、场管的ＤＳ功能可互换 9 w: h# \1 X! ?5 c% C$ Y6 T C
Ｎ沟道场管的导通截止电压：, j' q% u! M. p6 z9 n2 h: e
导通条件：ＶＧ>ＶＳ ，ＶＧＳ=0.45--3Ｖ时，处于导通状态，且ＶＧＳ越大，ＩＤ越大8 r; W, m, _7 G
截止条件：ＶＧ<ＶＳ ，ＩＤ没有电流或有很小的电流% t# O, k3 P. @
2 U+ s* h: Z3 U) X
四、 场效应管的作用：7 h I( {0 y0 C( h
放大、调制、谐振、开关0 E1 C! G$ j4 |% m
8 |8 H6 i1 S2 W, p: n2 m3 j
五、 场效应管的测量及好坏判断
1、测量
极性及管型判断 ; D* ?+ `3 V2 E: `8 [
- u7 F, S9 X+ u P- I' b% @: `0 M s
7 ?: |2 \$ \. ~( { s+ [
红笔接Ｓ、黑笔接Ｄ值为（300-800）为Ｎ沟道
红笔接Ｄ、黑笔接Ｓ值为（300-800）为ｐ沟道
如果先没Ｇ、Ｄ再没Ｓ、Ｄ会长响，表笔放在Ｇ和最短脚相连放电，如果再长响为击穿
贴片场管与三极管难以区分，先按三极管没，如果不是按场管测
场管测量时，最好取下来测，在主板上测量会不准0 |+ |$ h1 v5 c" n, o" A- v
2、好坏判断 A5 S; `1 F) i) T
测Ｄ、Ｓ两脚值为（300-800）为正常，如果显示“０”且长响，场管击穿；如果显示“１”，场" ~4 G7 Y5 A' x% S
管为开路9 a% m* t N3 [0 M- C4 M b
软击穿(测量是好的，换到主板上是坏的），场管输出不受G极控制。
六、 场管的代换原则（只适合主板）( _. t3 c, }3 n& S; X! [
& h) m# r. _3 y) l8 U; @5 Q, }
场管代换只需大小相同，分清Ｎ沟道Ｐ沟道即可
功率大的可以代换功率小的2 S$ f2 f7 K% T, \
技嘉主板的场管最好原值代换
七、 主板上常见的场管型号* u/ n+ s+ T% N7 e) r
N沟道：
702、712、G16、SG、SS、7EW、12KSH、72KGG、KF- j' c g5 Y6 m3 G$ D( O8 j2 E
中等大小的场管：3055、09N05、40N03、45N03
外型较大的场管：L3103S、K3296、K3289、6030、7030
55N03、76139D、76129S、10N03、15M03- s5 {. `) l) @7 W: {. n s
* X/ v: o2 {( `5 i
F827、F841、BPS100
P沟道：$ u- n4 o. J* p$ C P7 _- b- N
352A、356
6 t- T* F( F; J
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