镁光发布相变内存产品 随机读取速度达400MB/s

Micro科技公司近日宣布已经将45nm相变存储器（Phase Change Memory）量产，并主要用于移动设备。未来还将大规模用于平板电脑。

目前已公布的规格为1Gb的PCM与512Mb LPDDR2采用WFBGA封装的模式（电压为1.8V）。此举也预示高速非失忆性内存进入了新的时代。Micro PCM（Phase Change Memory）材料被称之为硫系玻璃（包含硒、碲等元素）。

PCM（Phase Change Memory）提供了极低的功耗和极高的可靠性。此外，经过优化设计的PCM和LPDDR2共享接口完全符合JEDEC行业标准。

相比于NAND Flash，Micro PCM（Phase Change Memory）具备更快随机读取性能——速度达400MB/s，以及大于100000的写入周期。

而作为Micro在PCM领域强有力的合伙伙伴，Intel移动通信集团市场营销和产品规划部副总裁Stefan Butz表示Micro是值得信赖的科技公司和供应商，Intel看到Micro PCM（Phase Change Memory）技术的巨大价值。

原文链接：xbitlabs.com