F12C20C和F12C45快恢复管资料

F12C20C和F12C45都是快恢复管，12A200V和16A450V，S20C45C是肖特基二极管，20A45V

MOS管FIR4N65F参数

PD最大耗散功率：106W

ID最大漏源电流：4A

V(BR)DSS漏源击穿电压：650V

RDS(ON)Ω内阻：3Ω

VRDS(ON)ld通态电流：2A

VRDS(ON)栅极电压：10V

VGS(th)V开启电压：2~4V

VGS(th)ld(μA)开启电流：250μA

FHP4N60的主要封装形式是TO-220、TO-220F、TO-251、TO-252、TO-262、TO-263，脚位排列位GDS。这款4N60场效应管产品具体参数：Vgs（±V）：30；VTH（V）：2-4；ID（A）：4A；BVdss（V）：600V。RDS (on) = 2.5mΩ(typ)@v GS =10V，低电荷、低反向传输电容开关速度快的特点。