场效应MOS管TK15A50D参数|场效应管|壹芯微二极管

场效应MOS管TK15A50D参数

场效应MOS管TK15A50D参数

产品简介

PD最大耗散功率：50WID最大漏源电流：15AV(BR)DSS漏源击穿电压：500VRDS(ON)Ω内阻：0.3ΩVRDS(ON)ld通态电流：7.5AVRDS(ON)栅极电压：10VVGS(th)V开启电压：2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流：100μA