1、三个极的判定

G极(gate)—栅极，不用说比较好认
S极(source)—源极，不论是P沟道还是N沟道，两根线相交的就是
D极(drain)—漏极，不论是P沟道还是N沟道，是单独引线的那边

2. N沟道与P沟道判别

箭头指向G极的是N沟道
箭头背向G极的是P沟道

不论N沟道还是P沟道MOS管，中间衬底箭头方向和寄生二极管的箭头方向总是一致的：

1>信号切换
2>电压通断

关键点:
1>确定那一极连接输入端，那一极连接输出端
2>控制极电平为？V 时MOS管导通
3>控制极电平为？V 时MOS管截止

NMOS：D极接输入，S极接输出
PMOS：S极接输入，D极接输出

反证法加强理解
NMOS假如：S接输入，D接输出

由于寄生二极管直接导通，因此S极电压可以无条件到D极，MOS管就失去了开关的作用

PMOS假如：D接输入，S接输出

同样失去了开关的作用

N沟道—导通时 Ug> Us,Ugs> Ugs(th)时导通
P沟道—导通时 Ug< Us,Ugs< Ugs(th)时导通
总之，导通条件：|Ugs|>|Ugs(th)|

BJT
Bipolar Junction Transistor 双极性晶体管，BJT是电流控制器件；

FET
Field Effect Transistor 场效应晶体管，FET是电压控制器件. 按结构场效应管分为：结型场效应（简称JFET）、绝缘栅场效应（简称MOSFET）

两大类

按沟道材料：结型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种.
按导电方式：耗尽型与增强型，结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。

总的来说场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管，而MOS场效应

晶体管又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。

①封装
②类型（NMOS、PMOS）
③耐压Vds（器件在断开状态下漏极和源极所能承受的最大的电压）
④饱和电流Id
⑤导通阻抗Rds
⑥栅极阈值电压Vgs(th)

无论是NMOS还是PMOS

管脚编号

从G脚开始，逆时针123

三极管的管脚编号同样从B脚开始，逆时针123

借助寄生二极管来辨别。将万用表档位拨至二极管档，红表笔接S,黑表笔接D，有数值显示，反过来接无数值，说明是N沟道，若情况相反是P沟道。

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