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英飞凌FF1400R12IP4
英飞凌FF1400R12IP4
产品作用和特性
英飞凌FF1400R12IP4 是带有温度检测NTC的PrimePACK?3模块,采用第四代沟槽栅/场终止IGBT4和第四代发射极控制二极管,其电气有很强的坚固性,高短路能力,并带有自限制短路电流 ,辅助逆变器、大功率变流器、电机传动、牵引变流器、风力发电机、UPS系统等工业电子设备中得到广泛的应用。
英飞凌FF1400R12IP4 IGBT模块是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有 MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。
英飞凌FF1400R12IP4 机械特性
· 4kV交流1分钟绝缘
· 封装的CTI>400
· 高爬电距离和电气间隙
· 高功率循环和温度循环能力
· 高功率密度
· 低热阻衬底
基本参数:1400A/1700V/2U  PrimePACK?3模块
【英飞凌FF1400R12IP4 封装尺寸和结构图】
【英飞凌FF1400R12IP4 产品参数】
产品:IGBT Silicon Modules
品牌和型号英飞凌FF1000R17IE4D_B2
配置:Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO:1700 V
集电极—射极饱和电压:2.45 V
在25 C的连续集电极电流:1400A
栅极—射极漏泄电流:400 nA
功率耗散:20mW
总功率损耗7.65 KW
最大工作温度:+ 150 C
封装 / 箱体:PRIME3
商标:Infineon Technologies
栅极/发射极最大电压:+/- 20 V
最小工作温度:- 40 C
安装风格:Screw
产品报价和PDF资料:联系索取或咨询
【英飞凌FF1400R12IP4  电路图】
【FF1400R12IP4  IGBT工作原理】
IGBT模块有三个端子,分别是G,D,S,在G和S两端加上电压后,内部的电子发生转移(半导体材料的特点,这也是为什么用半导体材料做电力电子开关的原因),本来是正离子和负离子一一对应,半导体材料呈中性,但是加上电压后,电子在电压的作用下,累积到一边,形成了一层导电沟道,因为电子是可以导电的,变成了导体。如果撤掉加在GS两端的电压,这层导电的沟道就消失了,就不可以导电了,变成了绝缘体。
若在IGB模块T的栅极和发射极之间加上驱动正电压,则MOSFET导通,这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通;若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V,则MOSFET截止,切断PNP晶体管基极电流的供给,使得晶体管截止。
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