怎样用最小的代价降低MOS的失效率？

  问题分析

上图为典型的半桥自举驱动电路，由于寄生电感的存在，在高端MOS关闭后，低端MOS的体二极管钳位之前，寄生电感通过低端二极管进行续流，导致VS端产生负压，且负压的大小与寄生电感与成正比关系。该负压会把驱动的电位拉到负电位，导致驱动电路异常，还可能让自举电容过充电导致驱动电路或者栅极损坏。由于IC的驱动端通常都有寄生二极管，当瞬间的大电流流过驱动口的二极管时，很可能引发寄生SCR闭锁效应，导致驱动电路彻底损坏。

解决方法

如上图所示，在自举驱动芯片VS端与Q1的源极之间增加一个电阻Rvs，该电阻不仅是自举限流电阻，同时还是导通电阻和关断电阻。由于占空比受自举电容影响，该电阻值一般不能取得较大，推荐值为3~10Ω较为适宜。电阻和自举电容的容值与其充电时间可以由以下公式得出：

其中C是自举电容容值，D为最大占空比。

致远电子的PV系列光伏电源，内部的MOS驱动技术就帮助此款产品解决了很多高端MOS的疑难怪症，最终成就了产品的高可靠性。200~1200VDC超宽输入电压范围，长寿命、高效率、低纹波噪声、高可靠性等特点。

其它注意事项

对于减小高端MOS驱动的寄生振荡，除通过增加驱动端的电阻发挥作用外，在印制电路板的设计中，还可注意以下一些细节，将寄生振荡降到最低。如：自举二极管应紧靠自举电容，功率布线尽量短且走线圆滑，直插器件应紧贴PCB以减小寄生电感等。怎么样？赶快试试吧！