近年来从国家到地方相继制定了一系列产业政策来推动碳化硅衬底行业的发展。例如2021 年 3 月，十三届全国人大四次会议通过的《中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和 2035 年远景目标纲要》， 提出要大力发展碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体产业。此外，上海、广东、湖南、山东等多省市均出台了相关政策支持碳化硅等半导体产业发展。
1、行业主管部门、行业监管机制
根据观研报告网发布的《2021年中国碳化硅衬底市场分析报告-产业规模现状与发展规划趋势》显示，碳化硅衬底行业的主管部门为工信部，行业自律组织为中国半导体行业协会。工信部主要职责包括提出新型工业化发展战略和政策，协调解决新型工业化进程中的重大问题，拟订并组织实施工业、通信业、信息化的发展规划，推进产业结构战略性调整和优化升级，推进信息化和工业化融合；制定并组织实施工业、通信业的行业规划、计划和产业政策，提出优化产业布局、结构的政策建议，起草相关法律法规草案，制定规章，拟订行业技术规范和标准并组织实施，指导行业质量管理工作；监测分析工业、通信业运行态势，统计并发布相关信息，进行预测预警和信息引导，协调解决行业运行发展中的有关问题并提出政策建议，负责工业、通信业应急管理、产业安全和国防动员有关工作等。
中国半导体行业协会是由中国半导体领域从事集成电路、半导体分立器件、半导体材料和设备的生产、设计、科研、开发、经营、应用、教学的单位、专家及其它相关的支撑企、事业单位自愿结成的行业性的全国性的非营利性的社会组织。协会负责贯彻落实政府有关的政策、法规，向政府业务主管部门提出半导体行业发展的经济、技术和装备政策的咨询意见和建议；做好信息咨询工作；开展国际交流与合作；制订行业标准、国家标准及推荐标准等。
2、行业主要法律法规政策
政策名称 | 发布部门 | 发布时间 | 相关内容 |
《中国制造2025》 | 国务院 | 2015.05 | 突破大功率电力电子器件、高温超导材料等关键元器件和材料的制造及应用技术，形成产业化能力 |
《高新技术企业认定管理办法》 | 科技部、财政部、国家税务总局 | 2016.01 | 国家重点支持的高新技术领域：半导体新材料制备与应用技术中的第三代宽禁带半导体材料制备技术 |
《国民经济和社会发展第十三个五年规划纲要》 | 全国人大 | 2016.03 | 提升新兴产业支撑作用，大力推进先进半导体等新兴前沿领域创新和产业化，形成一批新增长点 |
《“十三五”国家科技创新规划》 | 国务院 | 2016.08 | 围绕重点基础产业、战略性新兴产业和国防建设对新材料的重大需求，加快新材料技术突破和应用。发展先进功能材料技术，重点是第三代半导体材料等技术与应用。以第三代半导体材料与半导体照明、新型显示为核心，以大功率激光材料与器件、高端光电子与微电子材料为重点，推动跨界技术整合，抢占先进电子材料技术的制高点 |
《推进“一带一路”建设科技创新合作专项规划》 | 科技部、国家发改委、外交部、商务部 | 2016.09 | 共同开展第三代半导体等先进材料制造技术合作研发 |
《新材料产业发展指南》 | 工信部、国家发改委、科技部、财政部 | 2016.12 | 加强大尺寸硅材料、大尺寸碳化硅单晶、高纯金属及合金溅射靶材生产技术研发，加快高纯特种电子气体研发及产业化，解决极大规模集成电路材料制约；面向智能输变电装备领域，突破大尺寸碳化硅单晶及衬底、外延制备及模块封装材料技术；开展重点新材料应用示范， 以宽禁带半导体材料等市场潜力巨大、产业化条件完备的新材料品种，组织开展应用示范 |
《能源技术创新“十三五”规划》 | 国家能源局 | 2016.12 | 研究8英寸碳化硅衬底材料稳定制备技术，实现6英寸碳化硅晶体衬底材料批量生产；突破10kV以上低损耗SiC器件关键技术及SiC多芯片级联关键技术，实现10kV/100A以上的功率器件稳定运行 |
《信息产业发展指南》 | 工信部、国家发改委 | 2017.01 | 加紧布局超越“ 摩尔定律” 相关领域，推动特色工艺生产线建设和第三代化合物半导体产品开发，加速新材料、新结构、新工艺创新 |
《战略性新兴产业重点产品和服 务指导目录》 | 国家发改委 | 2017.02 | 将碳化硅衬底材料列入战略性新兴产业重点产品目录 |
《“十三五”材料领域科技创新专项规划》 | 科技部 | 2017.04 | 加强我国材料体系的建设，大力发展高性能碳纤维与复合材料、高温合金、军工新材料、第三代半导体材料、新型显示技术、特种合金和稀土新材料等，满足我国重大工程与国防建设的材料需求 |
《“十三五”先进制造技术领域科 技创新专项规划》 | 科技部 | 2017.04 | 宽禁带半导体/半导体照明等关键装备研究针对碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等为代表的宽禁带半导体技术对关键制造装备的需求，开展大尺寸（6吋）宽禁带半导体材料制备、器件制造、性能检测等关键装备与工艺研究 |
《“十三五”交通领域科技创新专项规划》 | 科技部、交通运输部 | 2017.05 | 建立汽车电子控制技术创新及测试评价平台，开展汽车整车、动力系统、底盘电子控制系统以及IGBT、碳化硅、氮化镓等电力电子器件技术研发及产品开发和零部件、系统的软硬件测试技术研究与测试评价技术规范体系研究，支撑我国汽车电子控制系统产业的形成与发展，打破国外垄断 |
《产业结构调整指导目录（2019年本）》 | 国家发改委 | 2019.10 | “第一类鼓励类”：半导体、光电子器件、新型电子元器件（片式元器件、电力电子器件、光电子器件、敏感元器件及传感器、新型机电元件、高频微波印制电路板、高速通信电路板、柔性电路板、高性能覆铜板等）等电子产品用材料；轨道车辆交流牵引传动系统、制动系统及核心元器件（含IGCT、IGBT、SiC 元器件），网络控制系统，永磁牵引电机，直流高速开关、真空断路器（GIS）、新型智能开关器件 |
《重点新材料首批次应用示范指导目录（2019年版）》 | 工信部 | 2019.11 | 将碳化硅单晶衬底列入“先进半导体材料和新型显示材料”子目录 |
《“战略性先进电子材料”重点专项2020年度项目》 | 科技部 | 2020.04 | 支持功率碳化硅芯片和器件在移动储能装置中的应用（应用示范类） |
《基础电子元器件产业发展行动计划（2021-2023年）》 | 工信部 | 2021.01 | 面对百年未有之大变局和产业大升级、行业大融合的态势，加快电子元器件及配套材料和设备仪器等基础电子产业发展，对推进信息技术产业基础高级化、产业链现代化， 乃至实现国民经济高质量发展具有 重要意义 |
《中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要》 | 十三届全国人大四次会议审议通过 | 2021.03 | 集中电路设计工具、重点装备和高纯靶材等关键材料研发，集中电路先进工艺和绝缘栅双极型晶体管（IGBT）、微机电系统（MEMS）等特色工艺突破，先进存储技术升级，碳化硅、氮化镓等宽禁带半导 体发展 |
资料来源：观研报告网《2021年中国碳化硅衬底市场分析报告-产业规模现状与发展规划趋势》（WW）
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