封装的工序比较复杂，大概有十几道工序，有磨片、划片......磨片就是让圆片背面减薄，适应封装需要；划片就是通过金属刀片，让晶圆能够一粒一粒地分割出来；装片就是通过导电胶，让芯片跟引线框固定起来；键合就是通过芯片的pad与框架之间实现电路导通；塑封就是把产品包装起来。里面的关键工序是“键合和塑封”，键合实现了我们的目的，塑封对键合实现品质保证和产品的可靠性。
问答讨论环节：
1.磨片厚度和什么有关系？现在saw blade的宽度最小能到多少？
封装尺寸。咨询了下我们的划片工程师，目前我司的最小能做到60um。
2.今天分享介绍的封装工艺中最具挑战性的是哪个步骤?
WB（Wire Bonding键合工艺）。主要是封装集成度高，线密，对塑封后冲丝，打线是否打到Pad硅层，线弧线长控制，还有就是WB拉力，推力，lMC控制。另外就是封装的分层控制，系统工程。
3.环氧树脂可以通过印刷的方式涂吗??
应该说的是CoB封装，点黑胶固化，可能通过印刷的方式。这个具体可以让群里的中鹏塑料销售总监叶总，材料专家回答下。
4.固化一般多长时间?? 看过某小工厂后固化就2小时，时间短有什么影响？
前固化一般加N2一小时，后固化传统都是6～8小时，具体参考材料TDS。后固化时间短会导致应力释放不充分，可靠性受影响。
5.划片蹦角成测能测出来吗?
划片有蹦角，一般没检出来的话在成测时会有漏电。划片蹦边，要看iC的功效及蹦角的具体部位及大小，一般来讲是不允许有大蹦角出现，会引起可靠性失效，成测可能会卡住也有可能会漏测，之前我们遇到过产品测试idd失效，经腐开试验确认是划片磞角引起漏电失效。
6.这些工艺步骤中，哪些会是高温？最高温度会超过400度么？
WB因焊丝及芯片关系，铜线一般比金线略高，一般控制在180～240度主焊区，MD控制在175士5度左右，共晶控制在400度左右。
7.共晶指球封么？
不是，共晶是支架与圆片芯片背金形式DB结合，BGA才是指球封。
8.什么时候共晶和什么情况焊料? 共晶还要打线么？
共晶是支架与圆片芯片背金形式DB结合，焊料一般适用于T0大功率器件，易散热，是DB的几种实现工艺，跟芯片结构功能及实现封装形式关联。DB时，支架与圆片共晶结合。共晶是DB，WB是打线，倒装不需要打线。
9.封测设备都能国产化了吗？有没那块还做不了的？
封测设备及材料有在实现国产化，大多数国产设备及材料都能达到行业工艺水准，基本都能实现产业化。
10.封装的成本高吗？比如说占ic成本的比例？
1)参考某同学从网上搜索到的DRAM CSP与WLCSP的封装成本与芯片成本的大致比例。
2)这个问题跟不同的产品线有关，一些consumer的产品，直接cob，省了塑封的钱，可靠性差一点。某个同学举了光电芯片的例子: 光电芯片的芯片成本1美金，封装成本可能要100美金，然后卖200美金。可能与大部分芯片的成本组成都不同。只要封装交付的，用陶瓷封装成本还可以，用golden box就最贵了，也有一些芯片是裸片交付，然后系统方把很多芯片都封装在一起，降低封装成本。
11.什么情况下选择划片封装？什么情况会考虑晶圆级封装?
WL-CSP与传统的封装方式不同在于，传统的晶片封装是先切割再封测，而封装后约比原晶片尺寸增加20%；而WL-CSP则是先在整片晶圆上进行封装和测试，然后才划线分割，因此，封装后的体积与IC裸芯片尺寸几乎相同，能大幅降低封装后的IC 尺寸。
（来源：求是缘半导体 作者：李二成）
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