近年来，全球各大闪存芯片厂商正在加紧量产3D NAND，这也是全球闪存芯片厂商必争的制高点。美光、东芝/西部数据(WD SanDisk)、SK海力士，甚至英特尔也加入到3D NAND。但大部分原厂在2D NAND到3D NAND的切换阶段都经历了产能和成本的阵痛期。
据了解，三星是最早投入到3D NAND，到2016年底生产比重才突破35%，东芝、美光、SK海力士几家占比更是不到10%，从而导致3D NAND上市延后。事实上，2016年是闪存芯片转型的一年。三星西安厂/Fab 17/Fab 18、东芝Fab 2、美光F10x、SK海力士M14都将在2017年全面进入3D NAND量产阶段，原厂3D NAND产能竞赛正在有序开展。
为了紧跟科技潮流，我国也在这方面加大了科技投入。仅2016年1月份到10月份，中国在进口芯片上一共花费了1.2万亿人民币，是花费在原油进口上的两倍。2017年中国芯片市场规模达到千亿美元，占全球芯片市场50%以上。其中存储芯片市场规模达到2465.5亿元，占国内市场比重23.7%，其比重超过CPU、手机基带芯片。而中国存储芯片产业基本空白，几乎100%依赖进口。
不过，这一严重依赖进口的局面不久之后将得到极大的扭转！
近日，有相关媒体报道，我国紫光集团旗下长江存储已经成功研发出32层堆栈3D NAND闪存芯片，标志着中国打破了美、日、韩等国对该技术（3D NAND闪存技术）的垄断，与他们达到了技术上的同一水平！除此之外，32层堆栈3D NAND闪存芯片只是长江存储用作技术打底，长江存储重点聚焦的是64层堆栈3D NAND存储器。
就目前情况来看，长江存储是国内研发3D NAND存储器的主力厂商。有业内相关人员反映道，2017年11月，长江存储将自己研发出首款的3D NAND存储器导入终端SSD内，进而对该终端产品测试即告成功。本来，长江存储原计划是在2017年12月正式出样首款3D NAND存储芯片。而长江存储提前完成首款3D NAND存储芯片的研发，等同于是说长江存储在研发存储芯片的过程中取得重大突破。
虽然目前在研发领域已经取得突破性的成功，不过，长江存储研发出3D NAND闪存后面还需要解决其量产问题。如，产品的良率。产品的良率超过某个值后，这样的3D NAND闪存芯片才会有市场竞争力。
事实上，产品要真正得到市场上的认可，厂商除了需要有大量资金和人才投入外，在研发存储器过程中还会面临一系列的高难技术难题。小编认为， 对于长江存储来说，首先要做的事就是从三星西安这些公司挖角晶圆厂操作工人。之后可以从三星和SK海力士挖一些高级的工程师。再看能够从美光和东芝获取一些相关的技术信息。这是紫光解决技术问题的方法之一。而未来的我国在该领域的发展状况究竟如何，就让我们一起拭目以待吧！
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