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三星电子领跑全球开创10纳米级DRAM时代
图为三星电子研发的10纳米级DRAM。该DRAM的运行速度比现有的20纳米级产品快30%以上,而且省电10~20%。(照片来源:三星电子)

三星电子成为全球首家开创“10纳米级DRAM时代”的企业。

三星电子4月5日表示,“我们开发了世界最小的10纳米级8Gb的DRAM技术,并从今年2月起投入批量生产”。1纳米为十亿分之一米,因此10纳米相当于一根头发的一万分之一。

此间半导体业界认为进入10纳米级是微细技术的极限,但是三星却成为世界首家实现这一技术的企业。此前三星电子于2014年成为世界首家开发出20纳米技术的企业。三星相关人士解释道,“如果使用10纳米级技术,将比使用20纳米级技术提高30%以上的生产量”。

10纳米级DRAM还使用了节电技术。一般来讲,运行速度越快的半导体耗电量越大。三星则采用特殊设计,让半导体在迅速控制和处理数据之后自动转换为待机状态,着眼于待机状态耗电更少这一点上。三星电子相关人士解释道,“10纳米级比20纳米级速度快30%以上,达3200Mbps,同时耗电量则低10~20%”。

三星电子计划凭借10纳米级 DRAM不仅在PC、服务器市场,甚至在超高分辨率智能手机市场抢占先机。

韩国中央日报中文网 http://cn.joins.com 
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