主板基础
一、主板由电源分类
1、AT架构：主要用于早期的586以前的卧式机箱部分(由12针组成，只支持P2以前的CPU)
2、ATX架构：是现在是使用最广泛的架构，立式、卧式机箱都可以使用，一般支持1~5个扩展槽。此架构的特点是兼容性好、经济简洁、可扩展性好，缺点是升级不方便
3、NLX：一般名牌机或尖端服务器使用，特点是扩展性最好，缺点是结构复杂。
二、主板由CPU分类
接口 支持CPU类型
SOCKET 7（321针） P2代；AMD K6—2、3代（这是唯一能同时支持INTEL公司或AMD公司的CPU接口）
SLOT 1（296针） P2、3代；赛扬1、2、3代
PGA 370（370针） P2、3代；赛扬1、2、3代
SOCKET 462（462针） AMD公司650M—1.7G
SOCKET 462A（462针） AMD公司1.7G—3.6G
SOCKET +478（478针） P4代1.7G—3.6G
三、主板由芯片组分类
芯片组 INTEL芯片组（因特而） 支持CPU类型
FW82440（FXLX、EX、BX）、FW82443（FXLX、EX、BX）
P2代、赛扬1代，最高支持P3 1G
810、810E、810EZ、810P、815、815E、815EP、820、820E 赛扬1、2、3代；P2、3代
845、845E、845GL、845PE、850、865、875 P4代1.7G—3.6G
VIA芯片组（威胜）
VT82T、691、692 K6—1、2代
VT82X、693、693A、694X P2、3代；赛扬1、2、3代
APOLLO、RRO、133、133A、KT133、KT266、82X633、82X363 AMD650M—1.7G
SIS芯片组（矽统）
SIS520、530 P2代以前的CPU
SIS620、630、630E P2、3代；赛扬1、2、3代
SIS645、648、655、740 P4代1.7G—3.6G
SIS745 AMD 2.4G—3.6G
主板的组成
一、原器件
由北桥、南桥、BIOS芯片、I/O芯片、时钟芯片、串口芯片、门电路芯片、监控芯片、电源控制芯片、三极管、场效应管、二极管、电阻、电容等组成。
二、接口组成
由CPU接口、USB接口、IDE硬盘接口、FDD软驱接口、CPT打印机接口、COM串口、PS/2键盘鼠标接口、集成声卡显卡接口等组成。
三、电路的组成
由供电电路、时钟电路、复位电路、开机电路、BIOS电路、接口电路等六大电路组成。
四、系统总线的组成
1、由控制总线、数据总线、地址总线组成。
2、总线又分：处理器总线（系统前端线）、AGP总线、PCI总线、ISA总线。
(1) 处理器总线：是系统中最快的总线，而且是芯片组与主板的核心频率。
——通常为64位
(2) AGP总线：是专用于显卡的32位高速总线。
——工作频率为66MHZ（AGP 1X）、133MHZ（AGP 2X）、266MHZ（AGP 4X）
(3) PCI总线：是33 MHZ 、32位总线。
——传输速率为132MB/S
(4) ISA总线：是8 MHZ 、16位总线。
电阻
作用：分压、降压、分流、限流（一般用于主板供电电路）
符号：R
一、电阻在电路中的运用
1、串联（串联会使阻值增大）
I总 = I1 = I2 = ~IN（串联电路电流都相等）
U总 = U1 = U2 = ~UN
R总 = R1 + R2 + ~RN
（1）用几种电阻串联来获得阻值较大的电阻
（2）采用几个电阻构成分压器，使同一个电源能供给几种不同的电压。
2、并联（并联会使阻值减小）
I总 = I1 + I2 + ~IN
U总 = U1 = U2 = ~UN（并联电路中各电阻两端电压都相等）
（并联电路的总电压的倒数等于各并联电压的倒数和）
（1）用并联电阻来获得某一个较小的电阻。
二、排阻（一般主板上用的多数是贴片电阻）
符号：RN、RP、ER
1、贴片电阻分单个电阻（八脚）和排阻（十脚）
八脚
十脚
2、贴片电阻一般采用的直标法
图意：前两位表示有效数字，第三位表示10的N次方。
（330：33*10^0=33欧、472：47*10^2=4700欧、103：10*10^3=300欧、1R1：1R1=1.1欧）
3、好坏：不能超过正负10%。
电解电容
电容
作用：滤波、耦合、离路
符号：C（F法特）
特点：通交流，阻直流；通高频，阻低频。
一、电容分无极性和有极性
无极性 有极性
二、电容联接发挥的作用
电容串联：减小容量
电容并联：容量增大
并联
串联
三、电容好坏的判断
1、电容表面是否有鼓包
2、万用表打二极管档，用表笔任意触碰两引脚，然后换表笔，万用表读数会从负数到无穷大。如果有数值，说明电容漏电。读数一直为0，说明已短路。
四、电容代换
1、电解电容的代换：耐压值大于等于原值（可相差20%）。
2、无极性电容：大小颜色一样即可代换。
电感
作用：滤波、移阻、储能、续流
符号：L（H亨利1H=10^3MH、1MH=10^6UH）
特点：通直流，阻交流；通低频，阻高频。
一、好坏的判断
1、常见故障：开路和短路。
2、用万用表的电阻档来检查电感两端，正常电阻很小，若两端电阻很大说明电感开路。
晶振
作用：通过自身的振荡产生脉冲信号
符号：X（在电路中符号为Y）
一、参数
晶振的单位用频率MHZ
实施时钟晶振：32.XXX MHZ
时钟晶振：14.318 MHZ
声卡晶振：24.576 MHZ
网卡猫晶振：27.XXX MHZ
二、好坏判断
1、晶振正常情况下打到二极管档测为无穷大。
2、一般用替换法来判断其好坏，代换时必须原值代换。
二极管
作用：验波、稳压、整流、钳位
符号：D或VD
发光二极管 稳压 普通
特点：二极管具单向导通性。所谓单向导通性就是加正电压，PN结导通；加反向电压，PN结截止。
1、正向特点
当电压很小时电流为0，这段电压称死区电压。也就是说二极管上加了电压，但这不足以使电流流过PN结。当电压超过死区电压后，电流随电压的上升而导通。此后电压只要少量增加，电流就迅速增大。二极管正向工作时，如正向电流超过其允许值，管子烧坏。
2、反向特点
二极管加反向电压时不导通，称为截止状态。但当反向电压增加到一定程度，也就是接近击穿点时，电流开始增大。当反向电压超过反向耐压值时，反向电流会急剧增大，以至烧PN结管子烧坏。
一、好坏判断
1、用万用表打到二极管档，用表笔任意触碰两管脚，然后调换表笔再测一次（好的第一次无穷大，第二次300——800）。
场效应管
作用：放大、调制、振荡、作开关作用
结形场效应管
一、场效应管 耗尽型
绝缘栅型 N沟道
增强型
P沟道
d
g
s
增强型 耗尽型
D
G S
g栅极 控制极；d 漏极 供电极；s 源极 输出
二、工作条件
供电有，控制电压有。
三、好坏判断
把万用表打到二极管档，用两表笔任意处碰场效应管的三个极，好的场效应管应只有一组有数值(300到800).
三极管
作用：放大、调制震荡、做开关管用。
符号：Q
一、组成
PN结 B C
发射区 集电区
表示区
E B C B E
锗管
二、三极管 PNP
硅管 大功率
NPN 中功率
小功率
三、工作条件
1、供电
2、基极要有控制信号，B、E极要辩压。（NPN硅管为0.7V以上，锗管大于0.2V以上）
四、工作状态（饱和、截止、导通）
饱和 截止 导通
NPN BE=0.7V CE=0.3V BE<0.7V CE=0.3V BE>0.7V CE=0.3V
PNP BE=0.3V CE=0.3V BE<0.3V CE=0.3V BE>0.3V CE=0.3V
五、极性识别
１、ＰＮＰ型极性判断：把万用表打到二极管档。用红表笔假设三极管的一只脚为Ｂ极，用黑表笔分别触碰另外两个脚，如果测得的是两组相差不大的数值（３００到８００），那么说明我们假设的是正确的。黑表笔触碰的两个脚，数值大的是Ｃ极，数值小的是Ｅ极。
２、ＮＰＮ型极性判断与ＰＮＰ相反
(上为数字万用表测量方法，指针万用表测量方法与数字万用表测量方法相反)
六、好坏判断
把万用表打到二极管档。ＢＣ极与ＢＥ极正向数值为３００到８００，反向数值为无穷大。ＣＥ极正反向数值均为无穷大。
七、代换原则
最好原型号代换，如果没有原型号的三极管，要做到：ＮＰＮ换ＮＰＮ，ＰＮＰ换ＰＮＰ，硅管换硅管，锗管换锗管。
门电路
作用：延时（缓冲）、逻辑电平转换、运算放大
一、门电路的组成
一个门电路芯片一般由几组门电路组成（２到６组）
二、主板上常用的门电路芯片
０４、０５、０６、０７、０８、０９、００、３２、７４、２４４、２４
三、门电路类别（1为高电平，0为低电平）
1、与门：Ｙ＝Ａ*B （串联）
见0为0，全1为1
2、或门：Y=A+B （并联）
见1为1，全0为0
3、非门：Y=A非（反向器）；Y=A（跟随器）
反向器：A与Y的值相反。 跟随器：A与Y的值相等
4、与非门：Y=（A*B）的非
见0为1，全1为0
5、与或门：Y=（A+B）的非
见1为0，全0为1
