读懂MOSFET雪崩能量，电感对雪崩能量影响：第四篇

经常有研发工程师和器件工程师问到这样的问题：两个不同公司的功率MOSFET管，耐压和导通电阻基本相同，标称的电流也相同，该如何判断哪一个功率MOSFET管的雪崩能量更高，雪崩能力更强？

MOSFET A
测试条件：起始结温TJ=25°C，电感L=0.1mH，IAS=30A，EAS=45mJ。
MOSFET B
测试条件：起始结温TJ=25°C，电感L=8mH，IAS=10A，EAS=400mJ。

由于二个功率MOSFET的雪崩电流和雪崩能量的测试条件不同，使用不同的电感值，因此无法确定哪一个雪崩性能更好。

下面再看几个实际例子：

1、AOS：大多数功率MOSFET使用L=0.1mH。

AOS AON6590：L=0.3mH，数据表标明用去耦电路测量。

AOS AON6260：L=0.1mH，数据表标明用去耦电路测量。

UIS雪崩能量测量方法，见下面文章：

2、不同公司电感都不相同，有些没有标明。

TK100E10NE：L=42uH，Toshiba数据表标明使用非去耦电路测量，比同样条件下去耦电路的值高。

BSC035N10NS5：没有标明电感值，似乎Infineon的MOSFET都没有标出电感值，也不知道用非去耦电路还是去耦电路测量。

STP15810：ST数据表没有标电感值，后面说明了用去耦电路测试电路，可以通过使用的电源电压和雪崩电压来计算电感。

3、同一家公司不同产品测量电感也不同。

IRFB4310：L=0.35mH，IR数据表标明用去耦电路测量。

IRF3205：L=138uH，数据表标明用去耦电路测量。

IRF4110：L=0.033mH，数据表标明用去耦电路测量。

IRF7437

L=0.069mH，L=0.095mH，测试了二个电感条件下的雪崩能量，数据表标明用去耦电路测量。

IRFB7430

L=0.15mH，L=1mH，测试了二个电感条件下的雪崩能量，数据表标明用去耦电路测量。

IRFB7540

L=86uH，L=1mH，测试了二个电感条件下的雪崩能量，数据表标明用去耦电路测量。

4、数据表和生产所用电感值不相同。

FDMS86101

L=0.3mH，L=0.1mH，测试了二个电感条件下的雪崩能量，数据表标明用去耦电路测量。

FDMS86181

L=3mH，L=0.1mH，测试了二个电感条件下的雪崩能量，数据表标明用去耦电路测量。

5、电感值大，UIS雪崩能量高。

IR和Fairchild的有些功率MOSFE的数据表中，使用不同的电感值测试雪崩能量，可以看到：电感值大，UIS雪崩能量也大。看下面另外二个产品，也可以说明这一点。

AOS MOSFET：60V/25mOhm，测试条件：VGS=15V，VDD=25V，TA=25C，DPAK封装。

TI CSD18502KCS：数据表标明用非去耦电路测量电路。

从前面结果可以看到，不同公司的功率MOSFET，同一公司不同型号功率MOSFET，都有可能使用不同的电感测量UIS雪崩能量，使用测量电路也不相同，数据表标示结果在很大程度上没有可比性，也不能直接说明哪一个功率MOSFET的UIS雪崩能量更高，抗雪崩能力更强。

为了比较功率MOSFET的UIS雪崩能量的高低，必须在同样条件下测量得到结果，这样才更有意义。

同一个器件，使用的电感值越高，UIS雪崩能量更高。

由于没有统一的标准，有些公司在测量UIS雪崩能量过程中使用较大的电感，这样使器件在数据表中可以标出比较大的雪崩能量，因此工程师要仔细的研究数据表，比较测试条件和测试电路，从而正确判断功率MOSFET的UIS雪崩能量。

许多公司UIS雪崩能量需要在生产线上全部检测，有些型号的功率MOSFET，测量数据表中标出的UIS雪崩能量时，使用的电感值较大，例如：L=3mH；而在生产线上实际全检时所用的电感值较小，例如：L=0.1mH，这又是什么原因，这个问题就留给大家思考。

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