QLC入侵警报：iPhone 8内存质量或再缩水！

在小编之前的文章中曾为大家介绍过四种内存颗粒：SLC/MLC/TLC/QLC，想必大家还有印象吧，曾使用在iPhone 6上的TLC内存因为读写性能低下、擦写寿命低导致频繁重启被人广而诟病。现在苹果准备放弃TLC了，然而接替TLC的竟然是质量更差劲的QLC！

有国外网友爆料，苹果公司正在进行512G QLC颗粒测试，如果不出意外，QLC颗粒很可能用到下一代iPhone 8 512G版上，下一代iPhone 8 512G版价格可能不会大幅上涨，但是你会为这样低劣质量的内存买单吗？

我们来复习一下内存颗粒知识：

闪存寿命：

TLC闪存：5Xnm 2500次擦写、3Xnm 1250次擦写、2Xnm 750次擦写；

QLC闪存：约50~100次擦写。实测第133次就挂了，制程未知；

当然中招的不止iPhone 8，西数表示，未来将推出QLC颗粒为核心的廉价SSD，在此之前，希捷和东芝各展出了自己第三代PCIE接口的60TB和100TB固态硬盘产品，而东芝展出的SSD连续写入速度高达1 GB/S，不过Facebook公司认为未来的QLC固态硬盘将拥有150次全盘写入使用寿命，也就是说，1 GB的固态硬盘在累计写入150G数据后将完全报废。

不过，iPhone 8也可能使用3D QLC技术，3D NAND闪存是指拥有垂直内存堆栈的闪存颗粒，不同于普通的2D技术闪存，3D NAND闪存将让QLC有接近普通2D TLC的寿命，而价格相对低廉。

事实真相只有等到iPhone 8发售后才能得知，在此之前我们只能寄希望于内存成本的下降和再一次的技术革新。

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