TDA7293是ST公司出品的一款大功率高电压DMOS高保真功放芯片,额定输出功率为100W。最大工作电压为120V。
TDA7293内部结构分为三级:差分输入级由双极型晶体管组成,推动级和功率输出级由场效应管组成,这种结构兼顾了双极信号处理电路和MOS功率管的特点,具有低失真、低噪声、高耐压以及开关机静音、过热保护、短路保护等优点,芯片各管脚功能如图1所示。
别具一格的并联工作模式
在众多全集成功放芯片中,TDA7293是最出类拔萃的,只要你听过它的声音,都会被它那平衡、大气的声音所震撼,也会被它那细腻、圆润的声音所折服,更会被它那平易近人的价格所为之心动!其实TDA7293带给我们的惊喜还远不止这些,最值得它傲视群雄的杀手锏要数“主从并联”这一功能了。到目前为止还没有其他类似功能的音频功率芯片可与它比拟。说了这么多,什么是主从并联呢?
简单地说,主从并联就是指两个或者两个以上的芯片并联协同工作,其中的一个芯片从输入到输出的全部电路都在工作,这个芯片就被称之为主芯片,而与主芯片并联的其他芯片的前级部分被屏蔽,只有后级的功率输出部分在工作,这样的芯片则被称之为从芯片。以这种形式工作的模式被称为主从并联。
实际应用时的电路原理图如图4所示,该图是根据ST意法半导体公司推荐的原理图绘制而成的。此电路具有工作稳定、制作简单、成功率高、无需调试、音质优良等特点,是DIY时首选的电路。图中C1为输入电容,R1为输入电阻,C3、C4、R2 、R5 、R6、VD1构成开关机静噪电路。整个电路的放大倍数由R3和R4决定(32倍左右)。C2是反馈电容,C7是自举电容,C10和R7组成吸收网络,电容C5、C6、C8、C11为高频退耦电容,C9、C12为低频退耦电容。整个电路所需要的元器件参数如附表所示。
序号 器件名称 器件参数 用量
1 金属膜电阻 R7 2.2Ω/0.5W 1
2 金属膜电阻 R3 680Ω/1/4W 1
3 金属膜电阻 R5 10kΩ/1/4W 1
4 金属膜电阻 R6 20kΩ/1/4W 1
5 金属膜电阻 R4、R1 22kΩ/1/4W 2
6 金属膜电阻 R2 30 kΩ/1/4W 1
7 二极管 VD1 1N4148 1
8 红宝石电解电容C3、C4 50V/10μF 2
9 红宝石电解电容 C2 50V/22μF 1
10 红宝石电解电容 C7 50V/47μF 1
11 高频低阻型电源滤波
专用电解电容 C9、C12 220μF /50V 2
12 CBB电容 220pF /50V 1
13 CBB电容 C5、C6、
C8、C10、C11 0.1μF /50V 5
14 CBB电容 C1 1μF /50V 1
15 集成电路 IC1、IC2 TDA7293 2
16 电路板 主从两并联型 1
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