前不久的MWC 2015正式落幕，三星GALAXY S6相信给大家留下了颇深的印象，而作为2015年三星首款旗舰手机来讲，其硬件配置、外观、UI等方面成为焦点也不足为奇。在过去的一年中，智能手机的处理器、运行内存、摄像头等硬件参数已经成为消费者、厂商考评一款手机的关键。
这次发布的三星GALAXY S6采用了一枚14纳米64位处理器、3GB运行内存和1600万像素摄像头。其中运存方面并不是此前期待的4GB，而是采用3GB版本。不过，我们可以看到本次采用的是最新LP DDR4内存，在存储方面采用的是最新的UFS嵌入式存储，这些都会为三星GALAXY S6带来更快的运行效率和更低的功耗。
除了处理器以外，内存已经成为智能手机重要硬件之一，随着技术发展我们已经不能从表面的2GB、3GB这些常规数字来判定其性能，我们不妨就来看看此次三星GALAXY S6内存背后的隐藏属性。
3GB的运行内存想必大家经过MWC之后已经习以为常，但是很少厂商会提到其采用LP DDR4内存。毫无疑问，从名字上我们就可以看出LP DDR4要比LP DDR3内存更高级，而实际情况也确实如此。从效能来看DDR4要比DDR3有着大幅度提升，同时可提供32Gbps的带宽（为LPDDR3的2倍）。
因此，更高效运行内存意味着应用的启动速度更快，要知道三星GALAXY S系列在多任务同时处理拥有其优势，特别是相比于苹果iPhone来讲，在商务办公时多任务处理器可以为用户带来更高的效率，但是也对运行内存带来了更高的要求。同时由于DDR4内存的工作电压降低至1.1V，所以其耗电量也会降低40%。
当前，三星、海力士已经宣布量产DDR4内存，而能够支持DDR4内存的处理器皆为高端处理器，因此在年内或许我们可以看到更多旗舰智能手机采用DDR4内存。出来运行内存外，三星GALAXY S6在存储方面也有着较大提升，我们不妨再来看看三星GALAXY S6在存储方面的表现。
随着手机应用程序、游戏越来越大，用户更加依赖手机，大存储似乎已经将成为2015年旗舰机的主流，三星GALAXYS S6更是32GB存储起步，分别还拥有64GB/128GB版本。除此之外，发布会中三星还提到了三星GALAXY S6采用了UFS嵌入式存储。
UFS采用“命令队列（Command Queue）”技术，该技术常用于SSD固态硬盘中，通过串行接口来加快命令执行速度，与采用8位并行接口的eMMC标准相比，其数据处理速度得到大幅提高。此次，三星使用的UFS嵌入式内存的随机读取速度达到19000 IOPS，是eMMC 5.0嵌入式存储（7000 IOPS）的2.7倍、普通高速存储卡（1500 IOPS）的12倍，其超快的处理速度将大大提升系统性能。
此外其连续读写性能也提升到了SSD水平，而功耗则降低了50%，更加适合手机设备使用。同时其随机写入速率也高达14000 IOPS，是一般外置存储卡的28倍。值得一提的是，无论你是购买三星GALAXY S6的32GB/64GB/128GB任何版本都将能够体验到该技术。
总结：
如果说前几年手机市场大家都在主要比拼处理器，而当大家手机处理器水平接近之后，内存及存储表现也将成为至关重要的一部分，无论是DDR 4内存还是UFS嵌入式存储都将为手机带来更高的效率和更低的功耗，而这些技术或将在更多旗舰手机中展现，在三星GALAXY S6中使用也许只是个开始。
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