创新的IGBT内部封装技术

2010年05月11日 17:32 不详 作者：佚名 用户评论（0）

关键字：IGBT(110)封装技术(24)

 

创新的IGBT内部封装技术

英飞凌推出创新的IGBT内部封装技术。该技术可大幅延长IGBT模块的使用寿命。全新的.XT技术可优化IGBT模块内部所有连接的使用寿命。依靠这些全新的封装技术，英飞凌可满足具备更高功率循环的新兴应用的需求，并为提高功率密度和实现更高工作结温铺平道路。

全新.XT技术相对于现有技术，可使IGBT模块的使用寿命延长10倍，或者使输出功率提高25％。这种新技术可支持高达200°C的结温。

功率循环会造成温度变化，并导致IGBT模块内部连接部位产生机械应力。芯片各层的热膨胀系数不同，会造成热应力，导致材料疲劳和损坏。全新.XT技术涵盖IGBT模块内部有关功率循环功能的所有关键点：芯片正面的键合线、芯片背面的焊接（芯片至DCB）和DCB（直接键合铜）至基板的焊接。

这种全新的连接技术经过精心开发，可满足英飞凌现有的多数封装和全新的模块封装的要求。全部三种新连接技术都可是基于标准工艺，十分适用于批量生产。

供货

采用全新.XT技术的第一款产品是PrimePACK 2模块FF900R12IP4LD。该模块采用半桥配置，具备900Arms的电流，基于IGBT4芯片，最大工作结温为150°C。