1.1、沉积和刻蚀技术的发展趋势
图1. 沉积和刻蚀技术发展趋势
1.2、刻蚀方法的变话
图2. 小型化(2D)与刻蚀方法的发展
1.3、湿法刻蚀和干法刻蚀的优缺点
图3. 湿法刻蚀和干法刻蚀的优缺点
1.4、刻蚀工艺流程及相关问题
图4. 刻蚀相关工艺流程
2.1、纵横比(A/R)
图1. 纵横比的概念以及技术进步对其的影响
2.2、等离子刻蚀概述
图2. 根据薄膜类型确定等离子体源气体
2.3、反应离子刻蚀(RIE或物理化学刻蚀)工艺
图3. 反应离子刻蚀法的优势(各向异性和高刻蚀速率)
2.4、刻蚀速率(Etch Rate)和核心性能指数
图4. 与刻蚀速率相关的核心刻蚀性能指数
2.5、刻蚀过程
图5. 刻蚀过程
来源:半导体封装工程师之家
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