《松下600V GaN高迁移率晶体管：PGA26C09DV》

Panasonic PGA26C09DV 600V GaN HEMT

——逆向分析报告

日本松下（Panasonic）公司的第一个600V氮化镓（GaN）高迁移率晶体管（HEMT）有着创新的结构设计，在不使用级联（cascade）的结构下通过标准封装制成一个常关型器件。

PGA26C09DV 使用标准的TO220封装结构

我们揭开了松下第一个GaN HEMT器件的面纱，其使用标准的TO220封装结构，受益于特殊的芯片设计，该晶体管在不使用cascade结构或特殊封装下能够具有常关的性能。

PGA26C09DV的芯片照片（样刊模糊化）

松下的PGA26C09DV具有600V的击穿电压和15A的工作电流（15℃），以及与其它竞争者相比非常低的RdsOn，该晶体管非常适合AC-DC电源，光伏以及变频电机等应用。

PGA26C09DV芯片剖面图，采用GIT技术（样刊模糊化）

器件中的GaN和AlGaN层被外延沉积在硅衬底上，复杂的缓冲层和基板层结构用来减小应力和位错，并通过很厚的超晶格结构进行补偿，这可以在TEM下清晰地看到。

基于详尽的拆解分析，该报告还提供了外延、HEMT器件以及封装的生产成本估计。

PGA26C09DV芯片成本分析（样刊模糊化）

另外，该报告还对比了GaN Systems的GS66504B以及Transphorm的GaN HEMT器件，突出显示了他们在设计和制造上的巨大不同，以及其在器件尺寸和生产成本上的影响。

PGA26C09DV与GS66504B的比较（样刊模糊化）

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