美国次世代芯片诞生，效率提升1000%，打破晶体管化学极限

全球智能手机都在面临一个问题，就是性能瓶颈。虽然我们可以看到，每一年的手机跑分都在提升，幅度大约在20%到50%之间，但是却远远未能达到电脑CPU的水平。事实上，由于功耗和体积限制的原因，采用相同硅材料制造的手机芯片，性能几乎永远不可能超越庞大的电脑CPU。尤其是对于游戏至关重要的GPU，手机与电脑完全没有可比性。

事实上，华为苹果三星高通一直寻找一种低能耗高性能的芯片，来延长手机续航能力以及提升跑分。首先，硅材料的导电能力并不算强，导致其需要消耗更多的能量传输数据。而碳纳米管则是一种理性的半导体材料，它不仅导电能量比硅强很多，而且稳定性和耐用性都更好，而且对光刻机的技术要求没有那么苛刻，制程极限更高。

好消息是，近期美国麻省理工学院研究团队终于取得重大突破，成功制造出了16位碳纳米管芯片。据悉，该芯片集成了14000个碳纳米晶体管，理论上效率比同类硅芯片高1000%，运行速度更是提升数倍。有数据显示，碳纳米管芯片自诞生以来就获得了高速发展，这种芯片的运算速度几乎每年翻十倍，比传统的硅芯片改进空间大很多。有工程师认为，从技术可行性角度来看，碳纳米管芯片将很有可能成为次世代芯片。