【转载】电磁炉维修其实很简单（图示） 2013

 网站首页更多文章精彩图册加为好友问题咨询             一：电磁炉的原理与维修第一章 电磁炉的工作原理                     1、电磁炉的工作原理概述                     当电磁炉在正常工作时，电磁炉线盘上的线圈产生的交变磁场在锅具底部反复切割变化使锅具底部产生环状电流（涡流），并利用小电阻大电流的短路热效应产生热量。                    2、PD16电磁炉电原理图 

                    3、PD16电磁炉的工作方框图

第二章 电磁炉主要部件功能                     1、陶瓷板：进口高级耐热晶化陶瓷板。                     2、高压主基板：构成主电流回路。                     3、低压主基板：电脑控制功能。                     4、LED线路板：显示工作状态和传递操作指令。                     5、线盘：将高频交变电流转换成交变磁场（ PAN）。                     6、风扇组件：散热辅助元件（FAN）。                     7、IGBT：通过低电流信号、控制大电流的通断（IGBT）。                     8、桥式整流块：将交流电源转换为直流电源（BD101）。                     9、热敏电阻件：将热量信号传递到控制电路。                     10、热开关组件：感应IGBT工作温度，从而保护IGBT由于过热损坏。   第三章 电磁炉集成块功能                     1、C80C49-143A：中央处理器集成快（Ic1）。                     2、SN7407N：高压输出缓冲器/驱动器（Ic2）。                     3、HD74LS145：四—十线译码器/驱动器（Ic4）。                     4、LM339：低功耗、低失调电压比较器（Ic5、IC6）。                     5、TA8316S：驱动器（Ic3）。   第四章 电磁炉的工作原理（PD16）                     电磁炉220v工频交流由AC                     IN插口接入，通过保险丝F101防止内部电路的过载及短路。VA为并联压敏电路，防止外部供电电压过高，往往为烧毁自身来保护后级电路的安全。C101为滤波电容，容量为2UF。C101后级为大功率桥式整流块，可将前级的220v工频交流电整流为脉动直流电，脉动直流电通过扼流圈和C102的平滑滤波，将相对平稳的直流电供向下级PAN电磁线盘，PAN线盘与C103振荡电容组成LC振荡电路，从而在线盘上产生交变磁场。                    PAN电磁线盘的后级为T102电流取样变压器，通过T102次级将电流信号传递给电压比较器LM339进行检测。                     T102的后级为高压保护二极D，作用为保护IGBT，防止反向高压击穿IGBT。IGBT的控制极由驱动器TA8316S驱动，TA8316S输出14KHz频率的脉冲，根据TA8316S输出的脉宽来调整IGBT通断时间的长短，从而达到调整功率的要求。                    LM339为电压比较器，PD16使用两块LM339：一块为IC5，主要功能为锅具检测、温度检测；另一块为IC6，主要功能为电流检测，电压检测。IC5、IC6两个LM339比较器都将检测信号反馈到TA8316S驱动器上，从而达到调整功率的要求。                    线盘中间的热敏利电阻RT通过热量变化转换为电平变化，然后通过Q601三极管推动将信号传递到TA8316S，从而调整功率的大小，以达到调整锅具的温度。                    IGBT散热铝块上固定有温度开关K1，当IGBT过热时，温度开关K1的通断状态发生变化，从而接通IC1集成块①脚，通过①脚电平的高低变化，从而使IC1集成块④脚复位停机。                    风扇的电源控制由IC4的第⑦脚输出高电平至三极管Q703，从而使Q703导通，风扇通过12V直流运转。                     控制电路的电源主要由T101变压器的初级接入，次级输出连接有三组串联稳压电路。一组通过ZD204、C207、R204、Q203形成+5V电压，主要供给集成块IC1供电；一组通过ZD201、C203、R203、Q201形成+24V电压，主要供给集成IC3供电。另一组通过ZD203、C205、R203、Q202、R202形成+12V、+10V电源，+12V电源主要供给风扇，+10V主要供给IC6、Q301、ICS、Q602、Q601、Q501供电。第五章 故障分析及维修方法                     现象1、开机烧保险。                     ①首先将电磁线盘的接线脚断开换上保险管，测量电容C102两端电压，一般桥式整流的直流输出电压为220V-300V，如无电压或继续烧保险，判断为桥式整流块坏。                    分析原因：如果整流桥击穿，则220V交流直接短路。                     ②C102两端有电压，判断为IGBT坏，换上后故障排除。                     分析原因：C102两端有电压，说明桥式整流的直流输出正常，如果IGBT的两个输出脚击穿，则相当于直流短路。                     ③桥流桥及IGBT都没有坏，但依然烧保险，IA8316S集成块坏，换上后故障排除。                     分析原因：由于TA8316S输出的脉冲角度过大，导致IGBT出现过载现象                     2、风机不工作                     ①拨掉风扇FAN插线排，检测有无12V供电，如有，则风扇电机坏。                     分析原因：电源正常，通常风扇电机为短路或断路。                     ②FAN插线排无12V电压，驱动三极管Q703发射极击穿，换上Q703，故障排除。                     分析：当Q703都没有坏，集成块IC4坏，换上IC4集成块，故障排除。                     ③风扇电机及Q703都没有坏，集成电路块IC4坏，换上IC4集成块，故障解除。                     分析原因：如果集成电路块IC4的第7脚无高电平输出，那么Q703的发射极没有偏置电压，Q703的集成极依然无法导通，供电处于断路状态。                    现象3、开机操作显示均正常，但不加热。                     ①测量TA8316S的第③脚有无18V电压，如无，可检查Q201有无击穿、ZD201有无击穿，如有击穿换上后故障排除。                     分析原因：如果TA8316S的第③脚无18V电压，故障点应在供电电源串联稳压电路，所以必须先检查构成串联稳压电路的基本部件。                    ②TA8316S的第③脚有18V电压，故障应在IC3集成块TA8316S，换上后故障排除。                    分析原因：LED板显示及操作正常，说明电脑控制电路基本正常，不烧保险，说明高压板基本正常，只是由于TA8316S无脉冲输出至IGBT控制极，IGBT无法导通。                    现象4、开机后，面板灯一直闪烁。                     ① 晶振坏，换后，故障排除。                     分析原因：晶振坏，导致CPU中央处理器无时钟频率输入，从而使整个IC1中央处理器失控。 二：电磁炉维修代码大全威王电磁炉故障代码(2007-7-11 0:37:35,302) 威力WL-18A-E3,WL-20A_E3,WL-18A-k 3电磁炉故障代码(2007-7-11 0:36:59,126) 龙子电磁炉故障代码(2007-7-11 0:36:15,111) 青蜓牌电磁炉故障代码(2007-7-11 0:35:05,91) 万利达电磁炉故障代码(2007-7-11 0:33:04,364) 爱庭电磁炉故障代码及维修方案(2007-7-11 0:32:12,491) 乐帮电磁炉故障代码与维修(2007-7-11 0:29:19,276) 山奇电磁炉故障代码(2007-7-11 0:28:26,145) 创维修电磁炉故障代码(2007-7-11 0:25:51,88) 迪科尔故障代码表(2007-7-11 0:24:58,70) 跃龙电磁炉故障代码表(2007-7-11 0:24:20,47) TCL电磁炉故障代码(2007-7-8 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   四：电磁炉大管(IGBT)内部结构资料简介1.IGBT的基本结构绝缘栅双极晶体管（IGBT）本质上是一个场效应晶体管，只是在漏极和漏区之间多了一个 P 型层。根据国际电工委员会的文件建议，其各部分名称基本沿用场效应晶体管的相应命名。图1所示为一个 N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构， N+区称为源区，附于其上的电极称为源极。 N+ 区称为漏区。器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的P型区（包括P+和P一区）（沟道在该区域形成），称为亚沟道区（Subchannel   region ）。而在漏区另一侧的 P+ 区称为漏注入区（Drain injector ），它是 IGBT 特有的功能区，与漏区和亚沟道区一起形成 PNP 双极晶体管，起发射极的作用，向漏极注入空穴，进行导电调制，以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极。为了兼顾长期以来人们的习惯， IEC 规定：源极引出的电极端子（含电极端）称为发射极端（子），漏极引出的电极端（子）称为集电极端（子）。这又回到双极晶体管的术语了。但仅此而已。IGBT的结构剖面图如图2所示。它在结构上类似于MOSFET ，其不同点在于IGBT 是在N沟道功率MOSFET 的N+基板（漏极）上增加了一个P+ 基板（IGBT 的集电极），形成 PN 结j1 ，并由此引出漏极、栅极和源极则完全与 MOSFET 相似。

由图2可以看出，IGBT相当于一个由MOSFET驱动的厚基区GTR ，其简化等效电路如图3所示。图中Rdr是厚基区GTR的扩展电阻。IGBT是以GTR 为主导件、MOSFET 为驱动件的复合结构。N沟道IGBT的图形符号有两种，如图4所示。实际应用时，常使用图2－5所示的符号。对于P沟道，图形符号中的箭头方向恰好相反，如图4所示。

IGBT 的开通和关断是由栅极电压来控制的。当栅极加正电压时，MOSFET 内形成沟道，并为PNP晶体管提供基极电流，从而使IGBT导通，此时，从P+区注到N一区进行电导调制，减少N一区的电阻 Rdr值，使高耐压的 IGBT 也具有低的通态压降。在栅极上加负电压时，MOSFET 内的沟道消失，PNP晶体管的基极电流被切断，IGBT 即关断。正是由于 IGBT 是在N 沟道 MOSFET 的 N+ 基板上加一层 P+ 基板，形成了四层结构，由PNP－NPN晶体管构成 IGBT 。但是，NPN晶体管和发射极由于铝电极短路，设计时尽可能使NPN不起作用。所以说， IGBT 的基本工作与NPN晶体管无关，可以认为是将 N 沟道 MOSFET 作为输入极，PNP晶体管作为输出极的单向达林顿管。采取这样的结构可在 N一层作电导率调制，提高电流密度。这是因 为从 P+ 基板经过 N+ 层向高电阻的 N一层注入少量载流子的结果。 IGBT 的设计是通过 PNP－NPN 晶体管的连接形成晶闸管。                                         http://lxc66188.blog.163.com/blog/static/