FOD3120，TLP350，TLP250这三款是用来进行IGBT栅级驱动和POWER MOSFET栅极驱动的8 PIN DIP封装的光电耦合器，其中FOD3120，TLP350的输出峰值电流IO = ±2.5A (max)，TLP250的输出峰值电流IO =±1.5A (max.)，因此他们非常合适用来驱动1200V/（20-100）A的IGBT，由于IGBT在直流和交流无刷电机驱动器，逆变器，UPS，开关电源，变频器等方面的广泛应用，因此IGBT驱动光耦同样可以应用在这些产品上。
由于功率 IGBT 在电力电子设备中多用于高压场合，所以驱动电路必须与整个控制电路在电位上完全隔离，利用光电耦合器进行隔离，具有体积小、成本低、结构简单、应用方便、输出脉宽不受限制等优点。
一些基本参数
输入电流 IF=5mA
电源电压VCC=15 to 30V
电源电流ICC=2mA （TLP250 ICC=11mA）
延迟时间tpLH/tpHL= 500 ns (max)
动作过程
当IF输入 H 时，Tr1导通，Tr2截止，因此 VO=Vcc – Vtr1=H
此时Io的电流向外，基于此点，故可以接一个栅极电阻后直接驱动IGBT，无需外接电路
当IF输入 L 时，Tr1截止，Tr2导通，此时 VO=Vgnd+Vtr2=L
此时如果IGBT栅极上有残存的电荷，可通过Tr2到GND进行放电，关闭IGBT
逻辑关系如下
注意事项
1. 为了保证电压的稳定，防止电压突变损坏IGBT，需要在8脚与5脚间需要接一个0.1uF的电容。
2. IGBT大多是工作于感性负载状态，当其处于关断状态，反并二极管正在反向恢复过程时，就会有很大的dv/dt加于CE两端，由于米勒电容的存在，I=C*du/dt，将会产生瞬间电流流向驱动电路，与栅极电阻作用，将产生电压，此电压若超过IGBT栅极开启电压，则会造成IGBT误触发导通，因此提供负偏压-Vge能有效防止误触发，建议VE接负压。
3. 通常情况下，如果VGE过高，一旦发生过流或短路，栅压越高，则电流幅值越高，容易损坏IGBT，因此综上所述，实际工作时，建议VCC=+15V，VEE= -15V
使用实例
在整流电路中的应用
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