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PMOS管、NMOS管的对比
在CMOS设计里，PMOS管和NMOS管同等重要，不过因为一般的电路设计书籍都注重NMOS管的讲解，PMOS都是直接类比NMOS，所以让人不太清楚PMOS的工作原理。
PMOS和NMOS的源漏方位相反，NMOS的漏端drain在上面，PMOS的源端source在上面，之所以这么做是借助方位来表明电位的高低。
NMOS的漏端drain和PMOS的源端source的电压都比栅端gate电压高，所以这么标注获得一个“visual aid”。电流方向是一致的，如果采用箭头表示电流方向，都是从上到下的。
MOS符号
用于表示NMOS和PMOS晶体管的电路符号如图2.5所示。
图2.5（a）中的符号包含所有四个端子，基板用“B”（大块）而不是“S”表示，以避免与源混淆。PMOS器件的源极位于顶部作为视觉辅助，因为它具有比栅极更高的电势。
由于在大多数电路中，NMOS和PMOS器件的主体端子分别接地和VDD，因此我们通常在图中省略这些连接[图2.5（b）]。
在数字电路中，通常使用图2.5（c）中所示的两种类型的“开关”符号，但我们更喜欢图2.5（b）中的符号，因为S和D之间的视觉区别有助于理解电路的操作。
如果是四端口画法，箭头的方向就不是电流方向，而是衬底和沟道之间的PN结方向，和二极管一样，都是从P端指到N端。如下图所示。
NMOS是N型沟道，P型衬底，衬底接最低电位，PMOS是P型沟道，N型衬底接最高电位。这样是为了源漏端和衬底形成P-N结反偏，不然电流从源漏端直接正向导通到地。
击穿说的也是这个P-N结反向击穿。因为沟道和衬底的材料不同，所以栅压变化才会有耗尽层-反型层形成的说法。
NMOS的沟道材料是N型，而衬底材料是P型，所以栅极需要加正电压，才能排斥P型衬底里的空穴，吸引电子聚集在沟道的下方，和栅极的金属板构成栅电容。电容的介质材料是SiO2。
PMOS的沟道材料是P型，而衬底材料是N型，要想在N型材料里吸引空穴的话，自然栅极应该加负电压。和NMOS栅极正电压越大，沟道的导电能力越强一样，PMOS是栅极电压负向越大，沟道导电能力越强。
问题：MOS管是多数载流子导电，为什么，有什么好处？
空穴：带正电，实际中不存在，为方便处理设置的，是电子行为的反向等效。
说完栅极，我们说衬底极substrate。NMOS的衬底极接地，PMOS的衬底极接正电压，这都是根据P-N结反偏要求设定的。
也就是P极接负，N极接正。衬底的电压简单的是直接就近连接，NMOS一般和源端一起接地，PMOS衬底和源端一起连 VDD 。
NMOS， VGS>Vth 和 VDS>VGS-Vth ，前者是用来保证导电沟道的形成，叠加后者的条件就是饱和状态。
导通条件到PMOS这，是以栅端电压对比衬底电压 VDD 较小为好，这样空穴就会被吸附到表面形成沟道，所以可以看出阈值电压 Vth 为负值。
这和NMOS的 Vth 的正值恰相反，注意这里不涉及增强型还是耗尽型管子的区分。考虑衬底和源端相连，导通条件是VGS<Vth ，如果用绝对值表示|VGS|>|Vth| 。
电流的流动从方位上和NMOS没有区别，都是从上方流到下方。
饱和区的条件类比较为麻烦，因为饱和区形成的微观机理稍微复杂一点。首先我们要弄清，为什么对于NMOS，当 VDS>VGS-Vth 就有 ID 饱和呢？
当满足了 VGS>Vth ，沟道里从漏端到源端的电压都是一样的，可以等效为简单的平行板电容器。
但是MOS管是个立体结构，除了平行板的垂直电场，要形成电流还需要水平方向的电场，也就是从漏极到源级的电场。水平方向的电场NMOS是漏端最高，源端最低，沿着沟道方向电势逐渐降低。
沟道处的电势由固定的衬底电势叠加水平方向的电势，就造成了栅平行板电容虽然栅极电压不变，但衬底边的电压不均匀。
对于NMOS来说，需要保证VGS>Vth，这里S换成sub(衬底)会更好理解， VG-Sub>Vth ，但现在衬底电压因为施加了 VDS 不再保持均匀相等。
靠近漏端这一端的电压 VGD 要比 VGS 小，因为漏端电压高。随着漏端电压的提升， VGD 会率先小于 Vth ，这样漏端这个地方就形成了夹断（pinch-off）；
但这个夹断和 VG-Sub<Vth 时的截止不一样，称为预夹断，是通过VDS破坏了VG-Sub>Vth的条件形成的夹断，且只有漏端一点夹断了，不是整个沟道都夹断了。
但是，沟道的预夹断正是我们需要的，因为夹断后漏端和栅端就连接起来的了。
这里其实是有点问题的，因为按照前面的器件模型，夹断后VGD是等于 Vth 的，继续增大 VD 可以继续减小VGD，造成小于Vth的情况。
但这里的假设是， VGD 减小到Vth的时候，栅端和漏端连接起来，这样无论VD如何变化，夹断点都等于 Vth ，整个沟道的水平电压也就保持不变了。
这里不考虑channel-length modulation的情况。夹断以后，器件模型就类似是diode-connected的电路拓扑了，栅端和漏端连接，器件始终工作在饱和区。
不过不同的是，器件里降低VD可以回到线性区，而在电路里，降低VD回不到线性区，只能直接进入截止区。
根据前面的分析，可以知道NMOS进入饱和区的要求是 VGD<VGS，换成常用的是VDS>VGS-Vth 。
PMOS因为栅端电压负与衬底端，所以施加 VSD 后，漏端的电压最低，且低的栅端电压高于漏端电压不超过阈值电压了，破坏了栅电压构筑的导通条件，所以有 VGD>Vth ，换算一下， VDS<VGS-Vth 。
对于NMOS，栅端gate比衬底端substrate高一个Vth ，才能形成沟道，要破坏这个沟道，栅端gate比漏端drain高，但不能高于 Vth ，才能形成预夹断，工作在饱和区。
VGS>Vth，VGD<Vth，后一个条件即VDS>VGS-Vth
对于PMOS，栅端gate比衬底端substrate低过负阈值电压 Vth ，才可以吸附空穴，形成反型层，栅端gate比漏端drain低，但不能低过 Vth ， 形成沟道破坏条件，才能工作在饱和区。
VGS<Vth ，VGD>Vth，后一个条件即 VDS<VGS-Vth，考虑Vth是负值，也可以改为|VGS|>|Vth|，|VDS|>|VGS|-|Vth| ，这样和NMOS的条件就有了一定的统一性。
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