三极管，也成为半导体三极管、晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件其主要的 一些参数如下：
VCBO(Collector-Base Voltage)是发射极开路时集电极与基极之间能加的最大电压值，是集电结所允许加的最高反向电压；VCEO(Collector-Emitter Voltage)是指基极开路时集电极和发射极之间能加的最大电压，一但超出此电压三极管就有可能损坏；VEBO (Emitter-Base Voltage) 是集电极开路时三极管发射结的反向耐压值，一旦超出此电压三极管就有可能损坏(一般VEBO比较小，只有几V)。
因为VCEO是基极开路时加在集电极和发射极之间的电压，集电结是反向电压，发射结是正向电压，发射结的正向电压大小决定与流过它的电流大小。这个电流受穿透电流的影响存在雪崩倍增效应。所以VCEO要比VCBO小的多。VCBO没有穿透电流影响，只是电压过高引起的击穿雪崩电压，所以高。
IC(Collector Current-Continuous)其实是ICM(最大集电极电流)，当iC大于ICM时，三极管不一定会损坏，但其放大倍数β会明显下降。iC在相当大的范围内β值基本不变，但当iC的数值大到一定程度时β将减小，使β值明显减小的iC即为ICM。
PC(Collector Dissipation)其实是PCM(最大集电极耗散功率)，对于确定型号的三极管，PCM时一个确定值。
ICBO是发射极开路时集电结的反向饱和电流，ICEO是基极开路时集电极与发射极间的穿透电流，同一型号的管子，反向电流越小，性能越稳定，选用三极管时，ICBO与ICEO应尽量小。
HFE是晶体管的直流放大系数，是指在静态(无变化信号输入)情况下，晶体管IC与Ib的比值。β是指晶体管的交流电流放大系数，表示晶体管对交流变化信号的电流放大能力。两者在概念上有所区别，但数值上基本一致，在大多情况下可不加区分，视同一样。
VCE(sat)是三极管的饱和压降，当IB一定时，IC会随UCE的增大而增大(从零开始增大)，但UCE增大到一定值时，IC则基本不变，进入饱和区，VCE(sat)应该就是使IC进入饱和状态时的最小UCE的值。VBE(sat)好像就是基极和发射极之间的最小导通电压。
三极管的管压降：是指基极B与发射极E之间加上正确的电压后，集电极C和发射极E之间的压降VCE，而UBE是使三极管导通时的压降。
三极管的电流流向如图1所示，其常用应用主要有：
图1 NPN与PNP三极管的电流流向
①、可以通过单片机控制三极管的基极来间接控制LED灯的亮灭，图2是两种简单的单片机直接控制LED亮灭的电路接法。
图2 单片机直接控制LED电路
第一种接法似乎可以很好的控制LED的亮灭，但单片机的I/O口主要起控制作用，其电流输入(灌电流，即电流承受能力)和电流输出(拉电流)的能力相对较弱，以STC89C52来说，整个单片机的工作电流，不要超过50mA，单个IO口电流不要超过6mA，即使一些增强型51的IO口承受电流大一点，但也还要受到总电流的限制。而要点亮一个LED灯就需要大概10mA的电流，所以如果仅仅接一两个LED小灯观察，可以勉强直接用单片机的IO口来接，但要点亮多个LED灯时，从实际工程的角度去考虑，就不推荐直接接IO口了，因为如果直接接到单片机的IO口，那单片机肯定是承受受不住的，即使短时间可以承受，长时间工作就会不稳定，甚至导致单片机烧毁。
第二种接法由于单片机IO口输出电流很有限，普通IO口输出高电平的时候，大概只有几十到几百uA的电流，达不到1mA，也就点不亮这个LED灯或者亮度很低。
为了能很好的实现单片机对LED的亮灭控制，可以通过单片机控制三极管的基极来间接控制实现。其实现电路如图3所示，左边是用NPN三极管实现，当IO口为高电平时，三极管导通，因为三极管的电流放大作用，C极电流就可以达到mA以上了，就可以成功点亮LED小灯。右边是用PNP管实现，原理与NPN管类似。
图3 IO口通过三极管控制LED的电路接法
当然，就这种情况而言，如果不采用三极管的话，也可使用一些驱动IC可以作为单片机的缓冲器来实现，其仅仅起电流驱动缓冲作用，不起到任何逻辑控制的效果，如74HC245，这个芯片在逻辑上起不到什么别的作用，就是当做电流缓冲器的， 74HC245稳定工作在70mA电流是没有问题的，比单片机的8个IO口大多了，所以我们可以把他接在小灯和IO口之间做缓冲，如图4所示(其VCC处接的电容为去耦电容)。
图4 电流驱动IC电路
②、三极管也可以进行不同电压之间的转换控制，例如单片机的IO口是5V系统，如果直接接12V系统会烧坏单片机，这时加一个三极管，因为三极管的工作电压高于单片机的IO口电压，可实现用5V的IO口来控制12V的电路，应用电路如图5所示。
图5 三极管电压转换电路
当IO口输出高电平5V时，三极管导通，OUT输出低电平0V，当IO口输出低电平时，三极管截止，OUT则由于上拉电阻R2的作用而输出12V的高电平，这样就实现了低电压对高电压的控制。
以上两个示例都是让三极管处于开关状态，即导通时使之工作于饱和区，关断时使之工作于截止区。其计算公式如下(见图6)：当Q1处于临界饱和时，流经R1的电流为 Ic=(VCC-UCE)/R1，若Q1的直流增益为β(β有直流增益和交流增益之分，不同的管子差很大)，则流经R2的电流为 Ib=Ic/β=(Vin-VBE)/R2，VBE为基极与射极间的管压降，对硅管来说约为0.6V，对锗管来说，约为0.3V，此时的Vin=Ib*R2+Vbe。若要令Q1处于饱和状态(即开关闭合状态)，Vin应大于临界饱和值，即Vin>Ib*R2+Vbe，Vin=VBE+(( VCC-UCE)*R2)/(β*R1)。若要令Q1处于截止状态(即开关打开状态)，只需令Vin<>即可，说简单点就是直接令Vin=0。
图6 三极管常见应用
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