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MMIC是Monolithic Microwave Integrated Circuit的缩写，在国内我们通常把它翻译成单片微波集成电路。MMIC有两个特点：第一，它通常工作在微波频段（Microwave）。第二，它的尺寸很小，单片尺寸从大约1平方毫米到10平方毫米左右。
MMIC包括多种功能电路，如低噪声放大器（LNA）、功率放大器、驱动放大器、衰减器、混频器、上变频器、倍频器、检波器、调制器、压控振荡器（VCO）、移相器、鉴相器、开关、MMIC收发前端，甚至整个发射/接收（T/R）组件（收发系统）等等。
与MMIC相对应的是HMIC(混合微波集成电路）。MMIC与HMIC相比拥有很多优势，比如说小而轻巧，可靠性高，数量大的情况下成本比较低，对复杂电路尤为经济。当然，MMIC初期投资费用也比较昂贵，生产制造周期也比较长。首次流片的花费在50-200万人民币，再次流片的价格也要5-10万人民币，这还是对GaAs器件来说的，如果是GaN还要更贵。
MMIC主流材料是砷化镓（GaAs）。与硅（Si）材料相比，GaAs材料具有两个基本优点：器件速度更快，衬底绝缘性更好。这些对于高频电路设计是非常关键的。近年来实践证明另外一种半导体化合物材料磷化铟（InP）在增益，截止频率和低噪声方面性能比GaAs更为卓越。但是，从价格上来说，InP更为昂贵, 会带来成本的增加。氮化镓（GaN）也是另一种MMIC的工艺选择。GaN晶体管可以在比较高的温度，比较高的电压下工作，其制造的功率放大器在最大功率，转换效率等方面的性能也更为理想。另外近年来随着Si材料技术的发展，使用Si材料制造MMIC也成为了一种选择，Si材料的好处是成本低，集成度高，器件选择更为丰富等等。然而时至今日还没有任何可量产的Si工艺可以和GaAs相媲美。在MMIC器件中，GaAs工艺（包括HBT，MESFET，HEMT， PHEMT等器件）技术从性能，价格，稳定性等综合角度来讲仍然是最合适的选择。
根据英国著名产业研究公司Technavio在2017年1月初发布的名为《全球砷化镓（GaAs）器件市场2017-2021》报告数据，全球GaAs器件市场将以复合年增长率（CAGR）4%的速度增长到2021年的91.3亿美元。Technavio公司的统计表明，GaAs市场营收中超过54%来源于移动设备，该细分市场的高速增长受快速发展的3G/4G/5G网络的驱动。移动手机和平板电脑接受程度的增加扮演一个重要推动力，移动手机的出货量预计到2020年达到20亿部。该增长将驱动对移动手机用GaAs器件需求的增加，尤其是GaAs功率放大器。
全球顶级GaAs器件供应商包括 Skyworks Solutions, Qorvo, Broadcom (Avago), Advanced Wireless Semiconductor, ADI (Hittite), M/A-COM Technology Solutions, Murata Manufacturing 等等，占整个GaAs器件市场近 98% 的收入。好啦，本期基础介绍就到这里了，下一期我们会介绍MMIC的设计流程，敬请期待~
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