晶体外部的电容包含在振荡器电路的反馈回路中。对于“并联”谐振晶体（有关并联与串联谐振晶体的讨论，请参见下文），负载电容值需要由客户指定，以确保初始频率容差。对于“串联”谐振晶体，不使用负载电容。负载电容可以测量为PCB上晶体端子上的电容量。并联谐振模式晶体需要在订购时指定负载电容（CL）（这已在上面说过）。给定电路的近似晶体负载可以从公式确定（对于更有用的公式，请参见下面的内容）：
CS是电路的杂散电容和晶体1（C1）和晶体2（C2）引脚上的反相器或微处理器芯片的输入/输出电容，以及任何寄生电容。可以假设CS等于5pF。大多数晶体制造商将指定18或20 pF的标准并联谐振负载电容。已发现这些值在大多数电路中提供良好的频率容差。负载电容的变化将导致输出频率的变化。。
系列与并行：
并联谐振晶体用于在振荡器反馈环路中包含无功分量（电容）的电路。这些电路取决于无功元件和晶体，以实现在特定频率下启动和维持振荡所需的相移。串联谐振晶体适用于振荡器反馈环路中不含无功元件的电路。请参见图A中的系列和图B中的并联谐振晶体：
图A - 系列图B - 平行
有用的方程：
方程定义
f S =（系列）频率=
C 0 =法拉的静态电容
C L =负载电容=
C 1 =以法拉为单位的运动电容
Co =分流电容=
C L =以法拉为单位的负载电容
C 1 =运动电容=
f =以Hz为单位的标称频率
L 1 =运动电感=
f L =以Hz为单位的反谐振频率
R 1 =串联电阻=
f S =串联谐振频率，单位为Hz
Q =品质因数=
L =进入Henrys的电感
f L - f S =
f =
P L =可拉性（ppm / pF）
P L =可拉性=
Q =品质因数
。
。R 1 =以欧姆为单位的串联电阻
本站仅提供存储服务，所有内容均由用户发布，如发现有害或侵权内容，请
点击举报。
