1、输入电容,输出电容尽量共地;
2、输出电流过孔数量保证通流能力足够,电流为设定的过流值;
3、如果输出电流大于20A,最好区分控制电路AGND和功率地GND,两者单点接地,如果不做区分,保证AGND接地良好;
4、输入电容靠近上管的D极放置;
5、Phase管脚因为其强电流,高电压的特性,辐射大,需做以下处理
a:Phase相连接的上管的S极,下管的D极和电感一端打平面处理,且不打过孔,即尽量保证3者和电源芯片在同一个平面上,且最好放置在top面;
b:Phase平面保证足够的通流能力的前提下,尽量减小面积;
c:关键信号远离该Phase平面;
d:小电流的Phase网络直接拉线处理,禁止拉平面;
6、输入电容的GND,电源输入因为噪声大,敏感信号需远离该平面,遵循3W原则,禁止高速信号在上述地平面打的过孔中间走线,尤其关注背板的高速信号;
7、GATE,BOOT电容走线尽量粗,一般为15mil~40mil;
8、电压采样因为电流小,容易受干扰,如果为近端反馈尽量靠近电源芯片,如果为远端反馈,需走差分线,且远离干扰源;
9、DCR电流采样网络,需要差分走线,整个采样网络尽量紧凑,且需靠近电源芯片放置,温度补偿电阻靠近电感放置;
10、环路补偿电路尽量面积小,减小环路,靠近电源芯片放置;
11、电感下禁止打孔,一方面防止有些电感为金属表层,出现短路;一方面因为电感的辐射大,如果下面打孔,噪声会耦合;
12、MOS管下需打过孔进行散热,过孔数量按照输出最大电流计算,非过流值;
13、电源芯片底部打过孔到背面进行散热处理,覆铜越大散热越好,最好部分亮铜处理;
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