绝缘栅双极性晶体管(IGBT)

 

    前而介绍了 BJT和MOSFET，各自的优缺点，BJT属双极型器件，具有耐压水平高、电流大、导通电压低等优点，但开关时间长，有二次击穿现象以及控制功率大的缺点。MOSFET是属单极型器件，具有开关频率高，没有二次击穿现象，元件并联运行容易，控制功率小，但其导通电阻大，耐压水平不容易提高等缺点。能否开发出一种新型的兼有BJT和MOSFET优点的器件，IGBT就是这样一种用MOS控制晶体管的复合器件，具有耐压高、电流大、开关频率高、导通电阻小、控制功率小的性能优异的器件。IGBT器件不断改进其本身的第三代产品已开发出来，如图1-40所示。

绝缘栅双极性晶体管(IGBT)
 
图1-40 IGBT第三代特性改善                 图1-41 IGBT结构原理

 

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