由于在晶闸管的阳极和阴极上施加正向电位,两个外部结正向偏置,但中间结将反向偏置。由于该结附近的耗尽区内存在电荷,因此它充当电容器,结电容为 C j。如果施加的阳极到阴极电压出现在包含电荷 Q 的耗尽区上,则充电电流 I c将为:充电电流公式结电容C j是不变的,因此dC j /dt 的值将为零。因此,充电电流公式从上面的等式可以清楚地看出,如果正向电压上升的速率会影响充电电流 I c,因为两者是成正比的。这里充电电流充当栅极电流,即使在没有实际栅极脉冲的情况下也会打开 SCR。因为这里的电流与施加电位的变化率相关,因此即使是很小的变化也可以打开设备。
晶闸管(可控硅)误触发的处理方法
为了防止晶闸管意外开启门,可以将电压缓冲电路与晶闸管并联使用。下图显示了缓冲电路,其中电阻和电容的串联组合与给定配置中的可控硅并联。 在这个电路中,电容器可以很好地处理误触发。当电路中的开关 S 闭合时,电路上会出现施加的电压。流动的电流将绕过电容器,晶闸管上的压降为零。到那时,电压将在电容器上积聚,因此将保持 SCR 的指定 dv/dt 额定值。因此,这将最终防止设备意外打开。这里需要一个电阻与一个电容器串联吗?从上面讨论的过程中,很明显,施加的电压对电容器 C 充电。但是当施加栅极脉冲并且 SCR 开启时,电容器开始通过晶闸管放电。由于这将是一条低电阻路径,因此过大的电流可能会损坏晶闸管。为了防止这种损坏,必须限制放电电流,并且对于相同的大功率额定电阻R,与C串联放置。这里必须在此处正确选择参数,调整它们以获得正确的结果。
四、晶闸管(可控硅)保护--高 di/dt 保护
由于在晶闸管的阳极和阴极上施加正向电位,两个外部结正向偏置,但中间结将反向偏置。由于该结附近的耗尽区内存在电荷,因此它充当电容器,结电容为 C j。如果施加的阳极到阴极电压出现在包含电荷 Q 的耗尽区上,则充电电流 I c将为:充电电流公式结电容C j是不变的,因此dC j /dt 的值将为零。因此,充电电流公式从上面的等式可以清楚地看出,如果正向电压上升的速率会影响充电电流 I c,因为两者是成正比的。这里充电电流充当栅极电流,即使在没有实际栅极脉冲的情况下也会打开 SCR。因为这里的电流与施加电位的变化率相关,因此即使是很小的变化也可以打开设备。为了限制非常高的 di/dt 值,在电路中使用了一个与晶闸管串联的电感(Ls),该电感称为电流缓冲电感。晶闸管(可控硅)保护电路--高 di/dt 保护