2019年12月10日，台湾工业技术研究院于美国举办的国际电子元件会议（IEDM）中发表铁电存储器（FRAM）、磁阻随机存取存储器（MRAM）等6篇技术论文。其中，从研究成果显示，工研院相较台积电、三星的MRAM技术更具稳定、快速存取优势。

台工研院电光系统所所长吴志毅表示，5G、AI时代来临，摩尔定律一再向下微缩，半导体走向异质整合，而能突破既有运算限制的下一代存储器将扮演更重要角色，工研院新兴的FRAM、MRAM读写速度比大家所熟知的闪存快上百倍、甚至千倍，而都是非挥发性存储器，均具备低待机功耗、高处理效率优势，未来应用发展潜力可期。

他进一步指出，FRAM的操作功耗极低，适合物联网、可携式设备应用，主要研发厂商是德仪、富士通；MRAM速度快、可靠性好，适合需要高性能的场域，如自驾车、云端数据中心等，主要开发厂商有台积电、三星、英特尔、格芯等。

MRAM技术开发方面，工研院发表自旋轨道转矩（Spin Orbit Torque，SOT）相关成果，并透露该技术已成功导入自有的试量产晶圆厂，持续走向商品化。

工研院解释，相较台积电、三星等即将导入量产的第2代MRAM技术，SOT-MRAM为以写入电流不流经元件磁性穿隧层结构的方式运作，避免现有MRAM操作时，读、写电流均直接通过元件对元件造成损害的状况，同时也具备更稳定、更快速存取数据的优势。