提问者未给出电路图，无法介绍其描述中说的C1和D3在电路中的作用。下面以NPN型三极管驱动继电器为例，来介绍一下继电器驱动电路的设计方法。
上图中是一个采用NPN型硅三极管驱动继电器的简单电路。三极管VT在这个电路中工作于开关状态，继电器线圈为三极管的集电极负载，电阻R为三极管基极的限流电阻。
平时，控制电路输出为低电平（其输出电压Vout接近地电位），VT基极电压接近地电位，故VT截止（此时VT的c-e两极之间的电阻极大，如同一个断开的开关），继电器无电不工作。当控制电路输出为高电平（此时Vout接近5V）时，VT因其基极获得足够大的电流而饱和导通（此时VT的c-e两极之间如同一个闭合的开关），继电器线圈得电工作，其常开触点闭合，被控负载亦得电工作。这就是继电器驱动电路的工作原理。
▲ 5V继电器的外形。
下面来介绍一下电路中各元件的选取方法。继电器的工作电压由具体电路决定，在允许的情况下，选用工作电压高的继电器，可以减小继电器消耗的电流。一般工作电压越低的继电器，其线圈直流电阻越小，工作电流也就越大。继电器触点容量，视被控负载的功率而定。与继电器线圈并联的二极管VD为保护二极管，其可以防止继电器线圈断电瞬间产生的反向感生电压将VT的c-e两极击穿。该二极管一般选用1N40XX系列的硅整流二极管即可。
电阻R的计算方法
在这种三极管驱动继电器的电路中，电阻R的取值很重要，若取值太大，三极管不能处于充分导通状态；若取值太小，则基极电流过大，可能会损坏三极管的be结。为了计算方便，这里假定继电器线圈的工作电流为100mA，三极管的β为200，则三极管基极电流Ib＝100mA/200＝0.5mA。也就是说，VT要想处于饱和导通状态，其Ib需要≥0.5mA，由于Ib越大，VT的饱和压降越小，故通常取计算值的1.5～2倍，为了计算方便，这里取Ib为1mA。由于控制电路输出的高电平可接近5V电源电压，这里假定其Vout为5V，三极管be结的电压为0.7V，则R＝5V-0.7V/1mA＝4.3KΩ。R选用4.3KΩ/¼W的金属膜电阻即可。
电路中的三极管VT可以选用常用的NPN型硅三极管8050。为了减轻前级电路的负担，三极管尽量选用β高的管子，若选用8050三极管时，最好选用带后缀字母“D”的管子，这类带字母“D”的管子，β皆在200以上。
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