方阻与电阻率、电导率的关系

通常，考察导电膜层导电性能采用的指标是方块电阻，用R□（或Rs）表示。R□与导电膜层的电阻率及膜层的厚度有关。下图中，d为膜厚

 

方形导电膜层的电阻为：R = ρ L₁/(dL₂)

式中，ρ为导电膜的电阻率。对于制定的膜层，ρ和d可以认为是不变的定值，当L₁ = L₂时，即为正方形的膜层，无论方块大小如何，其电阻均为定值R = ρ/d，这就是方块电阻的定义。即

R□ = ρ/d

式中，R□单位为：欧姆/□、Ω/□、ohm/sq。

例如，当ITO层电阻率 ρ = 5×10-4 Ω·cm，ITO层厚度为500 Å，则方块电阻为：

R□ = ρ/d = 5×10^-4 Ω·cm / 500×10^-8 cm = 100 Ω/□

目前，ITO膜层的电阻率一般在5×10^-4 Ω·cm左右，最好的可达到5×10^-5 Ω·cm，已经接近金属的电阻率。

电阻率的倒数为电导率，σ=1/ρ，在国际单位制中，电导率的单位是西门子/米。电导率越大则导电性能越强，反之越小。