FET是“Field Effect Transistor，场效应晶体管”的英文缩写，它是由p型半导体和n型半导体所构成的pn结组成。
将FET与晶体管各个管脚的名字进行比较，FET的源极（S）相当于晶体管的发射极，栅极（G）相当于基极（B），漏极（D）相当于集电极（C）。
FET分为结型FET和MOSFET，MOSFET会在后面介绍。
结型FET的沟道构造方式
与晶体管的三明治结构不同，场效应晶体管的源极和漏极被连接在同一类型半导体的两端，电流ID（A）（称为漏极电流）在漏极和源极之间流动，而在漏极和源极之间的半导体则被称为沟道。
沟道为p型的场效应晶体管称为“p沟道FET”，沟道为n型的场效应晶体管称为“n沟道FET”。
栅极控制沟道耗尽层的宽度
控制沟道耗尽层的宽度的是栅极（控制沟道通过电流的能力）。栅极采用的是与沟道类型不同的导体（n沟道采用p型栅极，P沟道采用n型栅极），并与沟道相结合。
FET工作时pn结需要反方向偏置电压
当二极管两端的电源电压方向与pn结的p-n方向一致时，这种连接即为“正方向”。但是，FET的pn结需要与二极管连接相反的“n-p反向”连接才能正常工作。结型FET的pn两端的反向偏置电压VBIAS（V）（亦成为反向偏置）控制着FET的工作。
如果给结型FET的pn结施加正向偏置电压的话，FET将显示与二极管相同的特性。
加在栅极上的偏置电压像阀门一样控制电流的流通
以n沟道FET为例，FET的工作原理与晶体管是不同的。栅极和源极间pn结两端施加的电压VGS（V）（相当于晶体管基极电压VBIAS）为反向偏置电压，当该电压值较大时，沟道中的漏极电流ID就不能流通且耗尽层范围就会变得较宽广。
沟道中的非耗尽层的部分，是漏极电流ID流动的区域。栅极和源极间反向电压VGS（V）的大小控制着耗尽层的宽度，因此也就能（像水管中的阀门一样）控制着沟道中流过的漏极电流ID的大小。
结型FET的等效电路及特性
下图是关于n沟道FET的示意图
结型FET的等效电路
为了便于初学者的理解，本文采用等效电路来对电路的功能进行简单的描述。虽然这些等效电路是简化的，但它们对于实际电子电路的设计和分析仍然是不可或缺的。
跨导与电导（电阻的倒数）
跨导表示输入电压对输出电流的控制程度
当VGS的变化较大时，漏极电流ID的变化为VGS的2次曲线。
栅极电压为低于源极电位的反向偏置电压
栅极电压VG（V）比源极电压VS（V）低一些。在这个状态下，负电压VG（栅极与源极间的电压VGS）的值越大，漏极电流ID越小。
夹断电压和漏极饱和电流为两个重要参数
漏极电流ID为0A时的栅极与源极间电压VGS（V）被称为“夹断电压”VP（V）。栅极与源极间电压VGS为0V时的漏极电流ID（A）被称为“漏极饱和电流”IDSS（A）。
知识讲完了，一起来做几道练习题吧，看看大家掌握的如何？
1.晶体管与结型FET相比，试着考虑各自内部的pn结的数量有几个。从那个方面试着考虑工作方式的基本原理。
2.下图为栅极和源极间电压VGS与漏极电流ID的关系曲线，试给出VGS=-0.5V、VGS=-1.5V时的漏极电流ID。
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