七种三级管发射极直流电路工作原理分析

三级管发射极直流电路就是发射极与直流电压端，或发射极与地端之间的电路，这一直流电路的变化很多。

一、正电源供电NPN型三极管发射极直流电路

下图所示是正电源NPN型三极管发射极直流电路。电路中的Q1是NPN型三极管，采用正极性直流工作电压+V。

三极管Q1发射极直接接地线，构成发射极直流电路回路，从VT1管内部流出的发射极电流经发射极直接流到地线。

Q1管发射极电路中没有任何元器件，这是最简单的发射极直流电路。

二、负电源供电NPN型三极管发射极直流电路

下图所示是负电源NPN型三极管发射极直流电路。电路中的Q1是NPN型三极管，采用负极性直流工作电压-V。

三极管Q1发射极直接接在负极性直流工作电压-V端，构成发射极直流电路回路，从Q1管内部流出的发射极电流经发射极直接流到-V端。

三、正电源供电PNP型三极管发射极直流电路

下图所示是正电源供电PNP型三极管发射极直流电路。电路中的Q1是PNP型三极管，采用正极性直流工作电压+V。

三极管Q1发射极通过电阻R1接直流工作电压+V端，电阻R1构成了发射极直流电流回路。从直流工作电压+V端流出的直流电流经过R1，从VT1管发射极流入Q1管内。

Q1管发射极回路中只有一只电阻R1。因为电阻R1具有负反馈作用，所以R1称为发射极负反馈电阻。

四、负电源供电PNP型三极管发射极直流电路

下图所示是负电源供电PNP型三极管发射极直流电路。电路中的Q1是PNP型三极管，采用负极性直流工作电压-V。

三极管Q1发射极通过电阻R2接地，电阻R2构成了VT1发射极直流电流回路。

Q1管发射极电流回路是：从地线流出的直流电流通过R2，由Q1管发射极流入Q1管内部。

五、发射极直流电路变形电路之一

发射极直流电路变形电路有很多种，电路分析时只要抓住根本的一点，就是发射极直流电流主要通过了那个元器件，该元器件就是构成发射极直流电流的主要元器件，在这一电路分析中主要运用并联电路的阻抗特性。

下图是发射极直流电路变形电路之一。电路中的Q1是NPN型三极管，采用正极性直流工作电压+V供电。从电路中可以看出，Q1发射极回路中有电阻R4和电容C1。

根据电容隔离直流电的特性可知，Q1管发射极直流电流是不能通过电容C1的，所以Q1管发射极直流电流只能流过电阻R4。

这一电路分析中，如果不了解电容器的有关特性，则电路分析比较困难，甚至出错。

六、发射极直流电路变形电路之二

下图是发射极直流电路变形电路之二。电路中的Q1是NPN型三极管，电阻R1构成Q1管基极-集电极负反馈式偏置电路，采用正极性直流工作电压供电。

从电路中可以看出，Q1发射极回路中有电感L1，电容C1，电阻R3。

电感L1虽然能让直流电流流过，但是电容C1不能让直流电流通过，因为L1和C1串联，所以L1和C1这个串联支路不能让三极管Q1发射极直流电流通过（串联电路电流处处相等特性）。

这样，这一电路只有电阻R3构成了Q1管发射极直流电路，Q1管发射极直流电流通过R3流到地端。

七、发射极直流电路变形电路之三

下图是发射极直流电路变形电路之三。电路中的Q1是NPPN型三极管，电阻R1构成Q1管固定式偏置电路。采用正极性直流工作电压供电。从电路中可以看出，Q1发射极回路中有电感L1、电容C1、电阻R3，但是这三个元器件是并联的。

从电路中可以看出，电阻R3和电感L1都可以流过Q1管发射极直流电流，但是L1的直流电阻非常小，远远小于电阻R3的阻值。所以在这一电路中，从Q1管发射极流出的直流电流通过L1流到地端，而不是通过R3流到地端。

构成这一电路中Q1管发射极直流电流回路的主要元件是电感L1。

八、发射极直流电路特征

工作在放大状态下的三极管，无论发射极电路如何变化，三极管的发射极必须与直流工作电压端之间，或是与地线之间成直流回路，构成发射极的直流通路，只要是能够构成发射极直流电流回路的元器件，都有可能是发射极直流电路中的元器件。

九、电路分析方法

分析电路时，先在电路中找到三极管电路符号，然后找到三极管的发射极，从发射极出发向地端查找元器件，或是向直流工作电压端查找元器件。

发射极回路中的元器件往往比较多（比集电极回路中的元器件多），这些元器件应该能够通过直流电流，才是有可能构成发射极直流电路的元器件。

找出发射极回路中能够通过直流电流的元器件后，如果元器件比较多则还要根据并联电路的阻抗特性，找到是哪个或那些元器件是构成发射极直流电路的主要元器件，通常构成直流电路的主要元器件只有1~2个。