场效应晶体管简称场效应管，缩写为FET。
场效应管是一种半导体放大器件，它不仅具有晶体管的体积小、省电、耐用等优点，更具有输入阻抗高（10的8次方到9次方欧姆）、噪声小、热稳定性好、功耗低、动态范围大、抗辐射能力强、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域范围宽等优点。
场效应管的缺点是易于被静电高压击穿。
晶体三极管的载流子为空穴和电子，所以晶体三极管又称双极型晶体管。
场效应管载流子只有空穴或者只有电子，因此又称单极晶体管。
晶体三极管是电流控制型器件，而场效应管是电压控制型器件。
场效应管分为结型、绝缘栅型两大类。
见下图
结型场效应管是利用沟道两边的耗尽层宽窄，改变沟道导电特性来控制漏极电流
绝缘栅性场效应管是利用感应电荷的多少，改变沟道导电特性来控制漏极电流。
P沟道结型场效应管
N沟道结型场效应管
场效应管的电路符号
电路符号表明了场效应管的类型，场效应管的表示主要有：极性、材料、类型、规格号等，
场效应管的电路图形符号能够表示出它的种类
下图是N沟道结型场效应管的结构和工作原理示意图。可以看出，它使用一块N型半导体，在它的上、下各引出一个电机，分别称为漏极D和源极S，在N型半导体两侧，各设一小块P型半导体，将它们连起来作为栅极G，这样，G、S和G、D之间各出现了一个PN结。
三种直流电压偏置情况分析如下：
通过上述分析，通过改变G,S之间的反向偏置电压大小，可改变流过沟道的电流大小，换言之，栅极电压的大小可控制漏极的电流大小。
这说明场效应管是一个电压控制器件。
下图是N沟道绝缘栅型场效应管示意图。在两个N型区之间再形成一个N型硅薄层，于是形成N型沟道，在N沟道上面加一层绝缘材料二氧化硅，在绝缘层上面加一个铝层电极，作为栅极G。
在G,S之间加一个电压，那么G极铝层与P型衬底之间如同是以绝缘层为介质的平行板电容器，改变G,S极间电圧，可改变N型沟道的电阻。
场效应管在开关电源电路中开关振荡电路中的应用
开关集成电路U101中的振荡器起振，为场效应管Q101的栅极G提供振荡信号，场效应管开始振荡，使开关变压器T101的初级线圈产生开关电流，开关变压器的次级线圈中产生感应电流，3脚的输出经整流、滤波后波形成正反馈电压加到U101的7脚，从而维持振荡电路工作，使开关电源进入正常的工作状态。场效应管作为该电路中的脉冲放大器件，用于实现开关振荡的功能。
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