TFT制程分析之涂胶、曝光、显影

这篇文章汇总了涂胶、曝光、显影的基本知识；

先来个大流程图，有个基本了解：

清洗工艺，我们之前的文章有讲过，这个工序基本上不需要太强力的清洁单元（如HPMJ等）。

比如，EUV+BJ+普通喷淋+AK+烘干，即可。

1涂胶

HMDS

        因为光刻胶是疏水性的，直接涂覆在亲水性较好的膜层表面上时，光刻胶与基板表面的密着性较差，容易产生涂覆不均的现象。所以在涂覆之前，选择性的涂覆HMDS（六甲基二硅氮烷）。

        为什么是选择性涂覆，因为金属膜层（Mo除外）是疏水性的，无需涂覆HMDS。

光刻胶涂覆

        一般有旋转涂覆和狭缝（slit）涂覆两种模式，不过现在基本都是Slit模式了。

下面介绍一下常见的Slit模式构造：

①Coating head

狭缝式喷嘴，用于喷涂光刻胶；

②Interference detection bar

在涂覆时，如果平台上有异物，有可能干扰甚至损坏喷嘴。

因此，使用干扰检测单元监视工作台上的情况。如有异常，立刻停止；

③Panel thickness measurement sensor

涂覆前，测量玻璃厚度，根据测量数值，自动补正（非接触式测量）。保证Head和玻璃平行；

④Head　washer nozzle

用于清洗涂覆喷嘴；

⑤Uniformer

涂覆前，Head在转动的滚筒上预喷；

⑥Head height measurement sensor

涂覆过程中，测量并矫正，保证Head同Table水平；

⑦Panel detection sensor

通过横向检测，玻璃上下时，检查有无破损；

光刻胶

组成：感光剂+酚醛树脂+溶剂+添加剂；

光刻胶有正负之分，

正性光刻胶：光刻后的图形与掩膜版相同图形，保留未曝光部分。

负性光刻胶：光刻后的图形与掩膜版相反图形，保留曝光部分。