说明:
1.型号后面有“(P)”者为P沟道场效应管,型号后面有“※”号者为NPN型IGBT管,“※”号后有“(P)”者为PNP型IGBT管。
2.表中VDS(VCE指IGBT管,下同)表示源极(集电极与发射极)之间最高耐压,单位V;PD(Pc)表示漏极(集电极)最大耗散功率,单位W;ID(IC)表示漏极(集电极)最大工电流,单位A;RCN表示管子饱和导通时,漏、源极(集电极、发射极)之间电阻,单位Ω;空格栏表示参数不详。
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