| 二、CMOS LDO产品的应用 由于CMOS LDO产品的拓扑结构决定了其较低静态工作电流的特性，使得其非常适合在电池供电的手持设备系统中应用。下面以PHS手机为例来说明CMOS LDO的应用和选择。 1.Baseband Chipset Power Supply Baseband数字电路部分的工作电压在1.8V~2.6V之间，当手机锂电池的电压降到3.3V~3.2V时，手机将关机，这时电池到BB工作电压的压差为500mV~600mV,对于CMOS LDO来说，这么大的工作电压和压差使LDO正常工作不是问题，低噪音和高PSRR都不是问题，而对BB工作在轻载时LDO的静态电流要求要非常小。Baseband模拟电路部分的工作电压在2.4V~3.0V，与手机最低工作电压的差值为200mV~600mV，同时，需要在低频时（217Hz）有较高的PSRR，用以抑制RF部分对电池的干扰。此外，这颗LDO的会始终处于工作状态，所以也要求有极低的静态电流。 2.RF Power Supply RF电路需要2.6V~3.0V的工作电压。在电路中，如低噪音运放(LNA),up/down converter,mixer,PLL,VCO,和IF stage都要求很低噪音和很高PSRR的LDO 3.TCXO Power Supply 温度补偿晶振（TCXO）需要的是一颗极低噪音并带有enable pin的LDO，尽管TCXO只需要5mA的工作电流，但它同样要一颗单独的高PSRR的LDO为其供电，来隔离其他噪声源，如RF产生的低频脉冲噪声。 4.RTC Power Supply RTC电源会一直处于工作状态，即使在手机关机以后。因此它需要一颗极低静态电流的LDO，同时，这颗LDO要求具有小的反向漏电流的保护功能。 5.Audio Power Supply 在手机音频电源方面，会用到300mA~500mA稍大电流的CMOS LDO，同时，也要求在音频范围内(20Hz~20kHz)有低噪音和高PSRR的特性,来保证良好的音质要求。 三、CMOS LDO产品的设计思想 以下着重从Noise方面来阐述CMOS LDO的设计思想。 从上面这个框图可以看出，方案一比方案二要多封装出来一个Pin，这个Pin一般称作”Bypass”，对于这个Bypass管脚的作用描述往往是：An external bypass capacitor, connected to this terminal, in conjunction with an internal resistor, creates a low-pass filter to further reduce regulator noise.（Bypass脚外接一个电容，与电路内部的电阻组成低通滤波器，用以减小Regulator的输出噪声）。因为加了这个Bypass电容（一般10nF），LDO对Enable（使能）响应速度会变慢(从us级到ms级)。因此如果LDO的应用场合没有低噪声的要求或对噪声要求不高，一般建议可不加这个电容。 LDO的输出噪声主要来自于Voltage Reference这个模块，Bypass脚就是外接在Voltage Reference的输出端。因此将Voltage Reference的噪声降低，就能降低LDO的输出噪声。 方案一中，如不加bypass电容，CMOS LDO的噪声一般在200~450uVrms（没有负载时的电源电流越小，这个噪声越大），加了这个电容滤波后，LDO的噪声一般为30~50 uVrms，因此方案一的低噪声CMOS LDO都是有这个Bypass脚，并且是必须加这个滤波电容才能做到低噪声。 当然也有例外，个别欧美的大厂商采用先进的工艺设计生产的的CMOS LDO把本该外面加的Bypass电容做到了芯片里面，这样的LDO产品的噪声约为100 uVrms的水平。 方案一的思路是将噪声用滤波器过滤掉大部分，而方案二的思路是将噪声源减少，其核心就是低噪声的器件工艺。采用方案二的CMOS LDO根本不需要Bypass电容，就能使输出噪声降低到30~50 uVrms。 | 
