首款采用国产主控的SSD建兴T10 Plus已经上市几个月了，到目前为止只有256GB一个容量，不过在接下来，建兴T10 Plus 512GB将会登场，除了带来翻倍的容量之外，性能也比256GB的有大幅度的提升，不变的是那颗中国芯。
建兴T10 Plus是首款采用国产闪存控制器的SSD，建兴以及其母公司光宝虽然是台湾公司，不过他们早已在内陆植下根来，并且与国内的存储芯片公司展开深度合作，2016年光宝科技成立广州研发中心支持国产半导体行业发展，同年7月光宝与忆芯科技达成合作协议共同开发以国产主控为核心的高端固态硬盘，在2017年11月，建兴T10 Plus在国家会议中心和忆芯STAR1000一同发布，而今年光宝与紫光成立合资公司专注国产存储设备开发 ，当长江存储产的国产闪存出来之后大家应该会第一时间看到使用国产主控和国产闪存的SSD。
建兴T10 Plus是一款M.2 PCI-E NVMe SSD，起步容量256GB，上面还有512GB和1TB，其中512GB和1TB的性能是一致的，都是2700MB/s的读取1700MB/s的写入，随机读写IOPS分别为320,000/275,000，而256GB的版本性能则相对低不少，连续读取2500MB/s，连续写入1000MB/s，随机读写IOPS分别为160,000和145,000。
建兴T10 Plus 256GB之前已经跑过了，现在要跑更大容量的512GB
为了突出使用国产主控，建兴T10 Plus使用中国红配色的散热片，上面还有个中国特色的窗花，左边有一条祥云，在靠近螺丝位的位置有圆弧状的导光槽，通电后这里会放出闪闪红光。
建兴T10 Plus采用M.2 2280盘型，M.2 Socket 3接口，走PCI-E 3.0 x4通道，采用忆芯科技的STAR1000主控搭配东芝原厂3D TLC闪存。
同型号SSD增大容量的话有两个选择，一是把闪存的单颗容量翻倍，二是把闪存数量翻倍，建兴T10 Plus 512GB选择了后者，256GB的PCB背面是没有东西的，而512GB的背面则有两颗闪存与配套的电子元件。
由于正面有散热片覆盖，所以SSD的信息只能贴在后面，这贴纸也充满了中国风
拆下散热片PCB正面
PCB背面
忆芯STAR1000是首款商用的国产SSD主控，它采用性能强大的双核ARC处理器，采用TSMC 28nm HPC工艺制造，提供8条闪存通道，支持ONFI 4.0与Toggle DDR 3.0，闪存接口速度800MT/s，可支持最大2400MT/s的DDR4/LPDDR3外置缓存，主控的最大连续读取速度为3GB/s，最大连续写入速度2GB/s，最大随机读写IOPS分别为350K和300K，读延时90us，写延时20us，峰值功耗小于2.5W。
缓存从南亚的LPDDR3换成海力士的DDR4，单颗容量512MB，正反面各一颗所以总缓存容量是1GB
建兴T10 Plus使用东芝的原厂3D TLC闪存，256GB和512GB上面的都是TH58TFT0T23BADE，属于东芝第三代第三代64层堆叠BiCS 3D NAND，单颗容量128GB。
CDM测试出来建兴T10 Plus 512GB的连续读取速度为2621.7 MB/s，连续写入速度为1624.7 MB/s，连续写入速度比256GB的高出不少，4K QD1的随机读取速度为49.78 MB/s，比256GB的低一些，可能是软件问题，随机写入速度为215.6 MB/s， 和256GB的没啥区别。
ASSSD测出来建兴T10 Plus 512GB的连续读写速度为2081.79MB/s，连续写入速度为1606.6MB/s，读写速度都比256GB的有所长进，QD1随机读写速度则是51.8/164.66 MB/s，都比256GB的快一点点。
此外我们还使用了HD Tune Pro对建兴T10 Plus进行了全盘写入测试，从测试结果来看T10 Plus 512GB的SLC Cache空间其实没有多少，连10GB都不到，而TLC的原始写入速度则是500MB/s，这速度其实还可以，只不过主控发热有点严重，上图波动比较大的地方就是过热降频保护导致速。
忆芯STAR1000作为首颗国产SSD主控，可能还存在一些不成熟的地方，不过建兴T10 Plus 512GB总体表现还是不错的，媒体报价是1499元，不过淘宝上会做活动秒杀价仅999元，在贴吧发帖晒单还可以返现100元，性价比相当的高，不用一千元就能买到512GB的高性能M.2 SSD，这块国产SSD相当诱人。
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